[发明专利]一种支撑结构及真空设备有效
申请号: | 201510456352.2 | 申请日: | 2015-07-29 |
公开(公告)号: | CN105140169B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 杨元隆 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支撑 结构 真空设备 | ||
本发明公开了一种支撑结构及真空设备,其中,支撑结构包括机台,所述机台上设置有外支撑脚及内支撑脚,所述外支撑脚设置在所述机台的边缘,所述内支撑脚可活动地设置在所述机台的中部区域,所述内支撑脚为三个,间隔排列设置,位于对应玻璃基板的切割区域,所述内支撑脚与外支撑脚的顶端均设置有金属头;由于将所述支撑脚仅设置3个,降低成本,也可一定程度上减少产生静电感应的几率,提高产品可靠性。
技术领域
本发明涉及显示液晶领域,尤其涉及一种支撑结构及真空设备。
背景技术
在薄膜晶体管的制备工艺过程中,通常用到支撑脚(Pin)结构,例如在对玻璃基板进行干法蚀刻的过程中,需要将玻璃基板至于反应腔内进行加工,需要支撑脚对玻璃基板进行支撑,现有技术中的支撑脚是固定在基台的特定位置,对应特定尺寸的产品,当应用到不同尺寸产品时,需要重新拆掉固定在基台上的支撑脚,根据产品尺寸重新将支撑脚固定在基台上,实现过程复杂,成本较高。
另外,由于部分支撑脚是设置在玻璃基板的像素区域内,而支撑脚为金属材质,支撑脚与玻璃基板接触时容易发生静电感应,当产生静电放电时,会对产品产生不良影响,影响产品质量。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种支撑结构及真空设备,能够提高产品可靠性。
本发明提供的一种支撑结构,包括机台,所述机台上设置有外支撑脚及内支撑脚,所述外支撑脚设置在所述机台的边缘,所述内支撑脚可活动地设置在所述机台的中部区域,所述内支撑脚为三个,间隔排列设置,位于对应玻璃基板的切割区域,所述内支撑脚的高度及位置均可调;所述内支撑脚与外支撑脚的顶端均设置有金属头。
其中,任意相邻的所述内支撑脚之间的间距相等。
其中,所述外支撑脚的高度小于所述内支撑脚的高度。
其中,所述机台表面对应所述内支撑脚的位置开设有过孔供所述内支撑脚插入固定;所述内支撑脚的底部设有卡件,所述过孔设有与所述卡件卡合的沟槽。
其中,所述内支撑脚的高度小于所述外支撑脚的高度,所述机台设置有供所述内支撑脚插入固定的升降机构,所述升降机构用于调节所述内支撑脚到所述机台的距离,所述内支撑脚的顶部到所述机台的距离大于所述外支撑脚的顶部到所述机台的距离。
其中,所述升降机构设置有内螺纹结构,所述内支撑脚与所述升降机构接触的一端设置有外螺纹结构,所述内螺纹与所述外螺纹适配,可通过旋转所述内支撑脚调节所述内支撑脚的高度。
其中,所述内支撑脚及所述升降机构均为柱体,所述升降机构的中部开设有孔,所述孔的孔径比所述内支撑脚的直径略大,从所述孔沿着所述升降机构的侧壁方向开设有两个以上对槽,所述对槽包括以所述孔所在中心对称设置的两个槽,所述两个槽的深度一致,每一个对槽的深度不一,所述内支撑脚与所述升降机构接触的一端外壁设置有一对凸起,所述一对凸起为以所述内支撑脚所在轴心对称设置的两个凸起,所述凸起与所述对槽适配。
其中,所述机台四条边上都分布有至少两个所述外支撑脚。
本发明还提供一种真空设备,包括反应腔,所述反应腔内设置有上述的支撑结构,所述支撑结构用于支撑玻璃基板。
本发明提供的一种支撑结构及真空设备,通过在机台中部区域设置三个内支撑脚,该三个内支撑脚对应于玻璃基板的切割区域,即使发生静电感应也不会因静电感应而对像素结构产生危害,保证产品的质量;由于将所述支撑脚仅设置3个,降低成本,也可一定程度上减少产生静电感应的几率,提高产品可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造