[发明专利]二极管的模压工艺有效
| 申请号： | 201510457889.0 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105140137A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 孙良 | 申请（专利权）人： | 常州银河世纪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人： | 夏海初 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 模压 工艺 | ||
1.一种二极管的模压工艺，以焊接有二极管芯片的引线框架为加工对象；其特征在于：所述模压的具体步骤是：
步骤a、喷涂导热硅脂；所述喷涂导热硅脂，是将工件放置在喷涂设备的工作台上，然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂，并形成保护膜层；
步骤b、模压；所述模压是对经步骤a得到的工件放置在模压机的下模具内，然后将上下模具合模，接着对模具的注胶口注入绝缘胶，尔后通过模压机对工件进行模压；
步骤c、烘燥；所述烘燥是将经步骤b得到的工件放入烘箱内烘燥，然后取出工件自然冷却，使得二极管芯片和引线框架的贴片基岛的外周形成绝缘胶壳，制得成品二极管。
2.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于：所述步骤a中的导热硅脂的温度控制在15~25℃范围内。
3.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于：所述步骤b中模具的温度控制在100~170℃范围内，且模具合模的时间控制在27~180s范围内。
4.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于：所述步骤c中所述烘箱的温度控制在150~170℃范围内，烘燥的时间控制在5~9小时范围内。
5.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于：所述步骤b中所用的绝缘胶是黑胶、或者是环氧树脂。
6.根据权利要求1所述的二极管的模压工艺，其特征在于：所述步骤c中形成的绝缘胶壳的厚度控制在1~10mm范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
