[发明专利]一种组合物及含有该组合物的有机半导体场效应晶体管和其制备方法

权利要求书

1.一种适用于有机半导体场效应晶体管的组合物，其包括一种适用于所述晶体管的聚合物活性层的聚合物和一种添加剂，其特征在于，所述添加剂由以氮原子为正电中心的有机含氮阳离子和阴离子组成，结构通式如式I所示：

(A^m+)_n(X^a-)_b

式Ⅰ

式I中，mn＝ab；m，n，a，b均为整数；A^m+为以氮原子为正电中心的有机含氮阳离子，X^a-为阴离子；

所述聚合物选自PDPPTT、PDPP3T或PDPP4T；

其中，PDPPTT的重复单元见式III，PDPP3T的重复单元见式IV，PDPP4T的重复单元见式V。

2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述m、n、a和b分别为1至4，即1、2、3或4，且mn＝ab。

3.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于，mn为1至4，即1、2、3或4，ab为1至4，即1、2、3或4，且mn＝ab。

4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，在式Ⅰ中，X^a-表示以下阴离子中的一种或多种：氟离子，氯离子，溴离子，碘离子，四氟硼酸根离子，氰根，氧氰酸根，异氧氰酸根，硫氰酸根，异硫氰酸根，硒氰酸根，六氟磷酸根，六氟锑酸根，三氟甲磺酸根，苯磺酸根及其烷基、烷氧基取代物以及硫酸根，磷酸根，亚磷酸根。

5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，以氮原子为正电中心的有机含氮阳离子A^m+中包含一个或多个N原子正电中心，N原子正电中心是sp²杂化或者sp³杂化方式。

6.根据权利要求5所述的组合物，其特征在于，N原子为sp³或sp²杂化，所述添加剂具有式Ⅱ所示结构：

式Ⅱ中，d等于N原子正电中心的个数；

式Ⅱ中，R₁，R₂，R₃，R₄相同或不同，各自独立地表示一价取代基。

7.根据权利要求6所述的组合物，其特征在于，R₁，R₂，R₃，R₄相同或不同，各自独立地选自碳原子数为1-10的烷基，碳原子数为3-10的环烷基，碳原子数为5-50的芳基、杂芳基或芳烷基，碳原子数为4-50的杂烷基；碳原子数为4-50的杂环烷基；或者R₁，R₂，R₃，R₄中的两个或三个与相邻的N原子相互连接成环，所述环任选还包括其他至少一个N原子，或至少一个铵盐。

8.根据权利要求7所述的组合物，其特征在于，所述烷基、环烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、杂烷基或所述环结构带有R⁵取代基，所述R⁵选自碳原子数为1-10的烷氧基；碳原子数为1-10的烷硫基；碳原子数为1-10的烷基氨基；碳原子数为1-10的二烷基氨基；铵盐。

9.根据权利要求7所述的组合物，其特征在于，式II中，R₁，R₂，R₃，R₄相同或不同，各自独立地选自碳原子数为1-8的烷基，碳原子数为3-6的环烷基，碳原子数为5-20的芳基、杂芳基或芳烷基，碳原子数为4-20的杂烷基，碳原子数为4-50的杂环烷基；或者R₁，R₂，R₃，R₄中的两个或三个与相邻的N原子相互连接成5-20元单环、双环或三环，或者形成螺环或桥环，所述环任选还包括其他至少一个N原子，或至少一个铵盐。

10.根据权利要求8所述的组合物，其特征在于，所述R⁵选自碳原子数为1-6的烷氧基；碳原子数为1-6的烷硫基；碳原子数为1-6的烷基氨基；碳原子数为1-6的二烷基氨基；铵盐。