[发明专利]处理装置、处理方法及电子设备的制造方法有效
申请号: | 201510458287.7 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN105321854B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 佐藤胜广;平林英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被处理物 升华性物质 流动体 气体供给部 处理装置 供给部 表面供给气体 电子设备 升华 制造 | ||
有关实施方式的处理装置具备:第1供给部,向多个被处理物的表面供给第1流动体;第2供给部,向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体;气体供给部,向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体;以及升华部,使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速,来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。
相关申请的交叉引用
本申请基于2014年7月30日提出的日本专利申请第2014-154807号主张优先权,这里引用其全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及处理装置、处理方法及电子设备的制造方法。
背景技术
在半导体装置或平板显示器等的电子设备的制造中,进行使用纯水或有机溶剂等的清洗。
这里,如果凹凸图案的间隔(线和间隔的图案中的线的间距尺寸)为40nm以下,则有时在清洗工序中使用的纯水或有机溶剂等干燥时产生毛细管力而凹凸图案的凸部坍塌。
因此,为了抑制凹凸图案的凸部的坍塌,提出了使用升华性物质的技术。
在使用升华性物质的技术中,在清洗后,将溶解的升华性物质或含有升华性物质的溶液涂敷到基板等被处理物的表面上,进行冷却或将溶剂除去而使其凝固,然后,通过在大气压下或减压下加热等,将升华性物质从被处理物的表面除去。
在此情况下,如果使用单张旋涂法将含有升华性物质的溶液等涂敷到被处理物的表面上,则能够使含有升华性物质的层的厚度成为适当的值。但是,如果使用单张旋涂法,则有生产性变低的问题。
另一方面,如果使用使多个被处理物一次浸渍到含有升华性物质的溶液等中的批处理法,则能够使生产性提高。但是,如果使用批处理法,则难以使含有升华性物质的层的厚度成为适当的值。
因此,希望能够使含有升华性物质的层的厚度成为适当的值、并且能够实现生产性的提高的技术的开发。
发明内容
技术方案的处理装置具备:第1供给部,向多个被处理物的表面供给第1流动体;第2供给部,向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体;气体供给部,向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体;以及升华部,使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。
上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速,来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。
附图说明
图1是用来例示载体101的示意剖视图。
图2是用来例示有关本实施方式的处理装置1的示意图。
图3是用来例示含有升华性物质的层103的示意剖视图。
图4是用来例示成膜部6的示意图。
图5是用来例示被处理物100的表面上的气体的流速与含有升华性物质的层103的厚度t的关系的曲线图。
图6是用来例示有关另一实施方式的成膜部6a的示意图。
图7是用来例示有关另一实施方式的成膜部6b的示意图。
图8是用来例示除去部7的示意剖视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造