[发明专利]电荷转移型灵敏放大器有效
申请号: | 201510458609.8 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN105185404B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 王鑫 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 转移 灵敏 放大器 | ||
1.一种电荷转移型灵敏放大器,其特征在于,包括:
预充电单元,其控制端连接第一控制信号,所述预充电单元的输出端连接到输出单元的输入端,所述预充电单元用于在位线预通电时对列数据线节点进行通电;
所述输出单元读取所述列数据线节点的电压信号后输出数据;
位线调整单元,连接在所述预充电单元的输出端和存储器单元的位线节点之间,所述位线节点和地之间连接有位线电容,所述位线调整单元用于提供一开关使所述位线节点和所述列数据线节点连接并在位线预通电时实现对所述位线电容的充电;
所述位线调整单元的控制端连接电源电压且通过第二电容连接第二控制信号;所述电源电压使连接所述位线节点和所述列数据线节点的开关保持为接通状态;
所述位线预通电的时间由所述第一控制信号提供的脉冲来控制,在所述位线预通电的开始时刻,所述第二控制信号提供一电平切换信号并通过所述第二电容耦合到所述位线调整单元的控制端使所述位线调整单元的控制端的电压在电源电压的基础上改变并使所述位线调整单元的开关的电流增大,使得对所述位线电容的充电速度加快;
所述位线调整单元包括第一NMOS管,所述第一NMOS管作为连接所述位线节点和所述列数据线节点的开关,所述第一NMOS管的源极连接所述位线节点,所述第一NMOS管的漏极连接所述列数据线节点;所述第一NMOS管的栅极作为所述位线调整单元的控制端;
所述第二控制信号为放大器使能信号,在所述位线预通电的开始时刻,所述第二控制信号从低电平切换到高电平并通过所述第二电容的耦合使所述第一NMOS管的栅极电压在电源电压的基础上增加一个值,使所述第一NMOS管的电流增大。
2.如权利要求1所述的电荷转移型灵敏放大器,其特征在于:所述位线调整单元包括第二PMOS管,所述第二PMOS管用于为所述第一NMOS管的栅极提供电源电压,所述第二PMOS管的源极接电源电压,所述第二PMOS管的漏极接所述第一NMOS管的栅极,所述第二PMOS管的栅极接地。
3.如权利要求1所述的电荷转移型灵敏放大器,其特征在于:所述预充电单元包括第三PMOS管,所述第三PMOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述列数据线节点、栅极连接所述第一控制信号。
4.如权利要求1或3所述的电荷转移型灵敏放大器,其特征在于:所述输出单元包括一比较器,所述预充电单元的输出端连接到所述比较器的正相输入端,所述比较器的反相输入端连接一参考电压。
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