[发明专利]控制紫外光的焦点的方法、控制器及其形成集成电路的装置

权利要求书

1.一种控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点的方法，其中，该方法包含：

提供具有阻剂膜设置于其上的晶圆；

用紫外光以偏离法线的入射角，通过照射光刻掩膜，图案化该阻剂膜，使其具有以第一间距形成的第一测试图案以及以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案；

使用测量设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移，以产生相对偏移资料；

基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性来调整该紫外光的焦点。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在焦点误差已知下，图案化由数个第一测试图案及数个第二测试图案组成的阵列，以产生该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的该预定相关性。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，图案化由数个第一测试图案及数个第二测试图案组成的该阵列包括：图案化由数个第一测试图案及数个第二测试图案组成的该阵列于对焦环形晶圆上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，提供该晶圆包括：提供具有该阻剂膜设置于其上的产品晶圆。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，提供该晶圆包括：提供具有该阻剂膜设置于其上的该晶圆，该阻剂膜具有小于约60纳米的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化该阻剂膜包括：图案化作为该第一测试图案及该第二测试图案的设备特征。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化该阻剂膜包括：图案化该第一测试图案及该第二测试图案作为与图案化设备特征无关的特征。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化该阻剂膜包括：通过极紫外线光刻术来图案化该阻剂膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，以具有该第一间距的该第一测试图案以及具有该第二间距的该第二测试图案来图案化该阻剂膜包括：在该第一间距及该第二间距不同至少有3倍的数量下图案化该阻剂膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：测量该第一测试图案的图案特征与该第二测试图案的图案特征间的间隔差异。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：测量该第一测试图案的特征与参考特征间以及该第二测试图案的特征与该参考特征间的间隔差异。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，第一区域包含以与该第一间距不同的间距所图案化的该第一测试图案及参考图案，其中，该第一测试图案与该参考图案的一部份图案化成有覆盖关系，其中，第二区域包含图案化成有覆盖关系的该第二测试图案与该参考图案的另一部份，以及其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：测量该第一测试图案的图案特征与该参考图案间和该第二测试图案的图案特征与该参考图案间的间隔差异。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：使用扫瞄式电子显微镜设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：使用覆盖测量设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：使用散射量测覆盖度量设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：在集成电路形成于该晶圆上期间的制造阶段间，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。