[发明专利]SONOS Flash存储器电路结构在审
| 申请号： | 201510458746.1 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105006249A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘芳芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos flash 存储器 电路 结构 | ||
1.一种SONOS Flash存储器电路结构,包括：由存储单元组成的矩阵结构，每个存储单元包含有一选择管及一SONOS管，选择管的漏极与SONOS管的源极相连，SONOS管的漏极接位线，选择管的源极接源线；所述选择管的栅极接字线，SONOS管的栅极接第二字线；位线的一端接SA控制信号；
所述的存储单元以行列方式排列，位于同一行上的所有存储单元的选择管的栅极都接在对应该行的同一字线上，位于同一行上的所有存储单元的SONOS管的栅极都接在对应该列的同一第二字线上，同一列上的所有存储单元的选择管的源极都接在同一源线上，同一列上的SONOS管的漏极都接在同一位线上；
所述源线上还接有一控制管，所述控制管的栅极接读写控制信号；
其特征在于：所述控制管与SA分别位于存储单元阵列的两侧，读路径是从SA输入端经过存储单元、源线到达位于存储单元阵列另一侧的控制管。
2.如权利要求1所述的SONOS Flash存储器电路结构，其特征在于：所述存储器电路还包含有串接于位线中的位线等效电阻RBL，以及串接于源线中的源线等效电阻RSL。
3.如权利要求1所述的SONOS Flash存储器电路结构，其特征在于：当进行读操作时，数据从SA依次经位线等效电阻、SONOS管、选择管，再通过控制管；或者从SA依次经SONOS管、选择管、源线等效电阻，再通过控制管，减少读数据路径。
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