[发明专利]沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510458760.1 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105428405A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 御田村直树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种沟槽型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：
沟槽，该沟槽形成于第1导电型漂移层的表面；
多个栅电极，该多个栅电极选择性地设置于该沟槽的内侧；
绝缘块，该绝缘块由填充在相邻的所述栅电极之间的所述沟槽的内侧的绝缘物构成；以及
第2导电型集电极区域，该第2导电型集电极区域形成在所述第1导电型漂移层的与所述沟槽相反一侧的面上。
2.如权利要求1所述的沟槽型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，
所述绝缘块配置成不与形成在所述第1导电型漂移层的表面的第2导电型基极区域相重合。
3.如权利要求2所述的沟槽型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，
还包括栅极连结部，该栅极连结部对相邻的所述栅电极彼此进行连接。
4.如权利要求3所述的沟槽型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，
所述栅电极形成为朝向所述第2导电型集电极区域侧缩小。
5.如权利要求4所述的沟槽型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，
在所述绝缘块的内侧还包括对所述第1导电型漂移层和该第1导电型漂移层上所形成的发射极电极进行连接的连接部。
6.如权利要求5所述的沟槽型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，
所述栅极连结部具有比所述栅电极要宽的宽度。
7.一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
向在半导体区域的表面层的一部分所形成的沟槽的内侧填充绝缘物的工序；
去除所述填充的绝缘物的一部分，选择性地使所述沟槽的内侧露出的工序；以及
在所述选择性地露出的沟槽的内侧形成栅电极的工序。
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