[发明专利]一种双接触孔刻蚀停止层制造的工艺方法在审
| 申请号： | 201510459308.7 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105118805A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 刻蚀 停止 制造 工艺 方法 | ||
1.一种双接触孔刻蚀停止层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：在形成有MOS器件层的表面上，采用等离子体增强化学气相沉积一层高张应力氮化硅薄膜；其中，MOS器件层包括NMOS区域和PMOS区域；
步骤S2：在所述的高张应力氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；然后对所述的氧化硅薄膜进行平坦化；
步骤S3：在所述的氧化硅薄膜上沉积一层反射膜，其中，所述反射膜的材料为金属膜、硅膜或碳膜中的一种或多种反射膜的组合；
步骤S4：采用光刻和刻蚀工艺，将所述NMOS区域对应的反射膜和氧化硅去除，使所述NMOS区域的接触蚀刻终止停止层薄膜露出来；
步骤S5：执行紫外固化工艺将所述NMOS区域的接触蚀刻终止停止层薄膜变成高应力的氮化硅膜；
步骤S6：去除反射膜以及接触蚀刻终止停止层薄膜上覆盖的氧化硅膜，以在PMOS区域形成相对低应力的氮化硅膜；然后进入后续工艺。
2.根据权利要求1中所述的制造方法，其特征在于，所述高张应力氮化硅薄膜厚度为
3.根据权利要求1中所述的制造方法，其特征在于，所述反射膜使用的金属膜为铝膜。
4.根据权利要求1中所述的制造方法，其特征在于，所述沉积的氧化硅薄膜的厚度为
5.根据权利要求1中所述的制造方法，其特征在于，所述反射膜的厚度为
6.根据权利要求1中所述的制造方法，其特征在于，所述固化工艺的波长为200-400nm，时间为100-1000s。
7.根据权利要求1中所述的制造方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的反应气体包括SiH4和NH3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
