[发明专利]一种单晶硅废料再生功率散热器的方法

权利要求书

1.一种单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：

包括以下步骤：

(1)提油、清洗、干燥:

将所述单晶硅废料置入油水分离池内进行油水分离，再将油水分离后的单晶硅废料置入清洗池中洗净，将清洗后的单晶硅废料送入烘炉内干燥；

(2)初步粉碎、除杂:

将步骤(1)中干燥后的单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎，再将粉碎后的单晶硅废料送入筛选机进行筛选与磁选，进而形成单晶硅粗粉体；

(3)精细粉碎:

将步骤(2)中得到的单晶硅粗粉体置入精细粉碎机中进行粉粹，并过精细筛得到单晶硅细粉体；

(4)配料:

按质量比单晶硅细粉体：碳：石英粉/云母粉：无铅釉料：滑石粉：氧化铝为68～83:5～10:5～16:2～10:0.5～12:0～5的比例进行配料混合形成混合粉料。

(5)研磨混合，喷雾造粒:

将步骤(4)中混合粉料置入球磨机或搅拌磨机或振磨机中，按水：球：料为2～4:1:1的质量比加入水和球，并加入粘合剂，经过研磨混合形成混合浆料，将所述混合浆料送入喷雾造粒机中进行干燥造粒；

(6)压制成形:

将步骤(5)中造粒好的粉料置入压制成型机料筒中进行压制，形成散热器坯块；

(7)排胶烧成:

将所述散热器坯块置入烧缽中，并将烧缽放置在排胶烧成窑炉推板上，送入窑炉中排胶与烧制，得到散热器初始体；

(8)表面加工:

用机械、激光或超声波设备的切、钻、銑方法对无法用压制模具形成的形状进行进一步加工；

(9)涂覆背胶:

在散热器表面平整的一面涂覆粘接胶，涂覆后粘上防粘膜。

2.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：步骤(1)中烘炉内的干燥温度为150℃～200℃。

3.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：步骤(2)中单晶硅废料送入粗粉碎机中粉碎的时间为1～5h。

4.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：步骤(2)中所述单晶硅废料送入50～200目筛选机进行粗筛选与磁选进行筛选。

5.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：步骤(3)中单晶硅粗粉体在精细粉碎机中进行粉粹的时间为8～50h。

6.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：步骤(3)中精细筛的规格为1000～1500目。

7.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：骤(3)中单晶硅细粉体的规格为1000～1500目。

8.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：步骤(5)中混合粉料研磨时间为2～48h。

9.根据权利要求1所述的单晶硅废料再生功率散热器的方法，其特征在于：步骤(7)中窑炉的温度设置为：排胶段为200℃～650℃，烧制段为780℃～1300℃，时间为8～16h。