[发明专利]差分放大电路及使用该差分放大电路的流水线模数转换器

权利要求书

1.一种差分放大电路，其特征在于，所述差分放大电路包括第一电源线、第一部分和第二部分，其中，所述第一部分包括：超源极跟随器、第一N沟道金属氧化物半导体NMOS管、电阻、电容、第一开关和第二开关；所述第一部分和所述第二部分的结构相同且对称设置；其中，

所述超源极跟随器的输入端作为所述差分放大电路的第一输入端，所述超源极跟随器的输出端与所述电阻的第一端连接，所述超源极跟随器用于跟随所述第一输入端的输入信号；

所述电阻的第二端与所述第二部分的电阻的第二端连接；

所述第一NMOS管的源极经所述第二开关接地，所述第一NMOS管的栅极与所述超源极跟随器中的第二NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的漏极经所述第一开关与所述第一电源线连接，所述第一NMOS管的漏极作为所述差分放大电路的第一输出端，所述第一开关的闭合与断开通过第一时钟信号控制，所述第二开关的闭合与断开通过第二时钟信号控制，所述第一时钟信号和所述第二时钟信号反相；

所述电容的第一端与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第一电容的第二端接地。

2.根据权利要求1所述的差分放大电路，其特征在于，所述差分放大电路还包括：第二电源线；

所述第一部分的超源极跟随器包括：第一P沟道金属氧化物半导体PMOS管、所述第二NMOS管、第一电流源和第二电流源，其中，所述第一PMOS管的栅极作为所述超源极跟随器的输入端，所述第一PMOS管的源极作为所述超源极跟随器的输出端；

所述第一PMOS管的源极与所述第一电流源的输出端连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二电流源的输入端连接；

所述第一电流源的输入端与所述第二电源线连接；

所述第二NMOS管的栅极与所述第二电流源的输入端连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第二NMOS的源极接地；

所述第二电流源的输出端接地；

所述第二部分和所述第一部分结构相同且对称设置。

3.根据权利要求2所述的差分放大电路，其特征在于，所述第一部分还包括：

第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接；

PMOS管电流镜，所述PMOS管电流镜的第一输入端与所述第三NMOS管的漏极连接，所述PMOS管电流镜的第二输入端与所述第二部分中所述差分放大电路的输出端连接，所述PMOS管电流镜的输出端与所述第二电源线连接；

所述第二部分与所述第一部分结构相同且对称设置。

4.根据权利要求3所述的差分放大电路，其特征在于，所述第一部分的PMOS管电流镜包括：

第二PMOS管，所述第二PMOS管的漏极和栅极短接，所述第二PMOS管的漏极作为所述PMOS管电流镜的第一输入端，所述第二PMOS管的源极作为所述PMOS管电流镜的一输出端；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的漏极作为所述PMOS管电流镜的第二输入端，所述第三PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的源极作为所述PMOS管电流镜的另一输出端与所述第二电源线连接；

所述第二部分和所述第一部分结构相同且对称设置。

5.根据权利要求4所述的差分放大电路，其特征在于，所述第一部分还包括：

第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的漏极与所述电容的第一端连接，所述第四NMOS管的栅极与所述第二部分中第四NMOS管的栅极连接；

第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接；

所述第二部分与所述第一部分结构相同且对称设置。