[发明专利]一种利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的方法有效

专利信息
申请号: 201510467160.1 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN105129807B 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 罗平;陈樑;宋东明;黄兵;马启坤;张雯雯;沈宗喜;章江洪;丁炳恒;徐灵通;李银光;宋良杰;梁景坤;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮;王云坤 申请(专利权)人: 昆明冶研新材料股份有限公司;昆明理工大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
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地址: 655000 云南省*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 硅烷 制备 二氧化硅 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的方法,属于氯硅烷残液处理并回收利用的技术领域。

背景技术

多晶硅具有优良的光学、电学和热学性能,是电子工业和光伏产业所需的主要原料。随光伏发电的大力推广,全球多晶硅生产以惊人的速度增长。2008年后,随着需求趋于平衡,供需矛盾放缓,巨大的产能造成供过于求的局面,多晶硅价格剧降,造成国内众多多晶硅企业倒闭。同国外的多晶硅企业相比,我国多晶硅行业生产技术设备落后,能耗较大、生产规模小、成本高、质量低、供大于求产能过剩,同样采用改良西门子法,但却无法实现闭环生产,产生大量的物料废弃物,如氯硅烷残液,难以有效的处置或资源化利用,严重限制了多晶硅行业可持续性的发展。

多晶硅生产中的氯硅烷残液的主要成分是:三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅,还有少量的硅粉和金属杂质氯化物,由于其成分复杂,难以被回收利用,对氯化硅残液进行科学、有效的循环利用已经成为多晶硅产业发展的瓶颈。

公开号为CN 102757148 A的专利《多晶硅生产中废气和残液的处理系统和方法》提出了一种氯硅烷残液的处理和回收的方法,该工艺指出:将氯硅烷残液放进焚烧炉中燃烧水解,二氧化硅通过过滤器收尘回收。

公开号为CN 101830495 A的专利《一种多晶硅生产中废气废液处理方法》提出了一种氯硅烷残液的处理方法,该工艺指出:以电石渣为原料,将其乳化为氢氧化钙溶液后,淋洗废气和废液,最后获得硅酸钙和二氧化硅的混合渣,和蒸发结晶后的氯化钙。

目前国内多晶硅厂通常采用碱液处理残液的传统工艺,残液进入反应釜或淋洗塔中与碱液发生水解、中和反应,当反应后的混合液pH值达到工艺要求时,进行污水处理。在此过程中,生成二氧化硅和氯化钠(或氯化钙),由于混合在一起无法分离回收利用,形成废渣堆弃。另外,由于生成二氧化硅和氯化钠(或氯化钙),经常会发生设备和管道堵塞的现象,加大了检修工作量,给正常生成带来严重的影响,而且碱液的消耗量大,市场价格高,增加了处理成本。

以上三种方法虽然都能将氯硅烷残液进行无害化处理,但是都没能进行资源化利用,且处理方法耗能高,不易操作。

因此,研究氯硅烷残液的资源化利用,将这种有害废弃物有效的回收利用,对我国多晶硅生产行业清洁生产和可持续发展有重大的意义。

发明内容

本发明针对现阶段氯硅烷残液处理过程中存在资源浪费、处理成本高等问题,提供了一种安全可靠,能耗低,无污染的利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的方法,以解决多晶硅生产中的氯硅烷残液的资源化回收利用的问题。

本发明的技术方案是一种利用氯硅烷残液制备超细二氧化硅的方法,依次包括如下步骤:

(1)氯硅烷残液在残液储罐1中缓冲沉淀杂质后,经过管道过滤器2进入水解塔3,同时通入氮气,在氮气的作用下,氯硅烷残液以雾化形态在水解塔3中与循环酸性吸收剂发生水解吸收反应,吸收混合液进入中间收集槽4;

(2)吸收混合液在中间收集槽4中由搅拌机搅拌使渣水混合物混合均匀,然后输送至过滤器5中进行固液分离,滤液进入盐酸储槽6,滤渣用工业水进行洗涤,洗涤液进入洗涤液中间槽7,渣状二氧化硅经脱水干燥即得超细二氧化硅成品;

(3)水解塔3中产生的尾气经安全液封罐9放空;

(4)洗涤液和浓盐酸经静态混合器8混合后配制成吸收剂,经热交换器11后通入水解塔3。

优选的,本发明步骤1中吸收剂从水解塔3顶部和中部两级喷淋。

优选的,本发明所述的吸收剂,在运行开始时以工业水作为吸收剂进行水解反应,之后不断循环,直至盐酸储槽6中的盐酸质量浓度达到16%~31%后,吸收剂由盐酸储槽6中的滤液和洗涤液中间槽7中的洗涤液按比例配制成质量浓度为15%~30%的盐酸进行循环水解吸收用。

优选的,本发明所述的吸收剂,经换热器后,吸收剂的温度小于等于30℃。

优选的,本发明所述的吸收剂循环量与残液的质量比为60:1~80:1。

所述的氯硅烷残液主要来源于三氯氢硅提纯工序的工艺残液,其主要成分及质量分数分别为:SiH2Cl2 0~25%、SiHCl3 5%~50%、SiCl4 20%~95%、硅粉 0~4%、金属氯化物 0~1%。

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