[发明专利]SOI器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510468284.1 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN105633160B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;张严波;钟健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种绝缘体上半导体SOI器件，包括：
SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；
在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；
在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧；以及
在基底衬底中形成的背栅，
其中，背栅与后退阱电耦合。
2.根据权利要求1所述的SOI器件，其中，所述后退阱偏向源区一侧。
3.根据权利要求1或2所述的SOI器件，还包括：接触部，通过该接触部向背栅和后退阱施加电压。
4.根据权利要求1或2所述的SOI器件，还包括：第一隔离结构，将SOI衬底分成不同的区域，
其中，在每个区域中形成共享相同背栅的多个半导体器件。
5.根据权利要求4所述的SOI器件，还包括：第二隔离结构，将所述区域分成不同的器件区域，其中所述多个半导体器件分别形成于所述不同的器件区域中。
6.根据权利要求1所述的SOI器件，其中，后退阱进一步延伸到埋入绝缘层和基底衬底中，其中后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂，而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂。
7.根据权利要求6所述的SOI器件，其中，后退阱在基底衬底中形成delta掺杂。
8.一种制造绝缘体上半导体SOI器件的方法，包括：
对于包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层的SOI衬底，在基底衬底中形成背栅；
在SOI衬底上形成牺牲栅堆叠，并在SOI层中形成源区和漏区，在源区和漏区之间限定了沟道区；
去除牺牲栅堆叠的至少一部分，并经由由于该至少一部分的去除而得到的空间，在SOI层中形成后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧，且后退阱与背栅电耦合；以及
形成器件栅堆叠。
9.根据权利要求8所述的方法，形成后退阱包括：以相对于SOI衬底表面倾斜的方向向SOI层中进行离子注入，从而得到与沟道区自对准的后退阱。
10.根据权利要求8所述的方法，形成背栅包括：向基底衬底中进行离子注入。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法，还包括：形成进入到基底衬底中的第一隔离结构，该第一隔离结构将SOI衬底分成不同的区域，并使一个区域中的背栅与另一区域中的背栅电隔离。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：形成贯穿SOI层的第二隔离结构，将所述区域分成不同的器件区域。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，将后退阱形成为进一步延伸到埋入绝缘层和基底衬底中，其中后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂，而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，后退阱在基底衬底中形成delta掺杂。
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