[发明专利]测试图形的形成方法

说明书

一种测试图形的形成方法，通过对原始测试图形库中的原始测试图形进行一系列的变换，最终得到第一测试图形和第二测试图形，将所述第一测试图形和第二测试图形添加至原始测试图形库中，形成新的测试图形库。所述新的测试图形库中除了包括多个原始测试图形外，还包括第一测试图形和第二测试图形，大大丰富了新的测试图形库中的测试图形的种类和数量。因此，后续对客户提供的原始设计图形进行拆解检测时，可获得最优的、最准确的第一设计图形和第二设计图形，有助于后续形成良率更高的产品。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种测试图形的形成方法。

背景技术

半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进。随着半导体技术的不断进步，器件的功能不断强大，半导体制造难度也与日俱增。光刻技术是半导体制造工艺中最为关键的生产技术，随着半导体工艺节点的越来越低，半导体技术中设计的最小线宽和间距不断缩小，当曝光线条的特征尺寸接近曝光系统的理论分辨率极限时，半导体衬底表面的成像会产生严重的畸变，从而导致光刻图形的质量严重下降。

为了减小光学邻近效应的影响，现有技术提出了光刻分辨率增强技术(RET)，其中备受关注的就是双重图形化(Double Pattern)技术，双重图形化技术和光学邻近校正(OPC)相互配合可共同推动掩膜制造技术的进步，使可制造设计得以应对制造极限的挑战。现有技术中，其具体步骤包括：

客户提供原始设计图形；拆解客户提供的原始设计图形，将其分为第一设计图形和第二设计图形，其中，所述第一设计图形和第二设计图形均通过约束检测(ConstraintCheck)、冲突检测(Conflict Check)、光学邻近校正检测(Optical Printing Check)等，只要其中任一项检测不合格，则需重新对原始设计图形进行拆解，直至上述检测全部合格时为止；根据第一设计图形形成第一掩模板，所述第一掩模板上具有第一设计图形；根据第二设计图形设计第二掩模板，所述第二掩模板上具有第二设计图形；以所述第一掩模板和第二掩模板为掩膜，在半导体衬底表面进行光刻工艺，形成与原始设计图形相对应的产品。

然而，现有技术采用双重图形化技术制造出的产品的良率仍然有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种测试图形的形成方法，通过上述测试图形对上述拆分得到的第一设计图形和第二设计图形进行检测，以得到更为严格准确的第一设计图形和第二设计图形，使得后续形成原始设计图形更为接近的产品，从而提高产品的良率。

为解决上述问题，本发明提供一种测试图形的形成方法，包括：提供设计图形库，获得设计图形库中设计图形的最小设计线宽，并获得相邻设计图形之间的最小设计间距；提供原始测试图形库，所述原始测试图形库中具有多个原始测试图形，所述多个原始测试图形具有第一线宽，且相邻原始测试图形之间的距离为第一间距；放大所述多个原始测试图形和多个原始测试图形之间的距离，获得多个过渡测试图形，使所述多个过渡测试图形具有第二线宽，相邻过渡测试图形之间的距离为第二间距，其中，所述第二线宽为最小设计线宽的倍数，所述第二间距为最小设计间距的倍数；在相邻过渡测试图形的中心位置添加中间测试图形，所述中间测试图形的长度方向与相邻测试图形的长度方向一致；缩小所述过渡测试图形对应的倍数，得到第一测试图形，放大所述中间测试图形，得到第二测试图形，所述第一测试图形和第二测试图形均具有最小设计线宽，并且所述第一测试图形和第二测试图形之间的距离为最小设计间距；将所述第一测试图形和第二测试图形添加至原始测试图形库中，形成新的测试图形库。

可选的，所述设计图形库中的设计图形在曝光系统的实际分辨率极限之外，所述原始测试图形在曝光系统的实际分辨率极限之内。

可选的，所述设计图形库中的设计图形与客户提供的原始设计图形相对应。

可选的，所述倍数为大于等于2的整数倍。

可选的，所述中间测试图形为细长条型。