[发明专利]利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法

权利要求书

1.一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。

2.根据权利要求1所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述方法，包括以下步骤：

第一步，利用深硅刻蚀，在基板上制作表面凹槽；

第二步，将CNTs粉末涂敷在基板的表面凹槽内，用力压平；

第三步，去除多余的CNTs粉末，得到凹槽中掺满CNTs的基板，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。

3.根据权利要求2所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述在基板上制作表面凹槽，具体为：设计并制作表面凹槽所需的掩膜版，利用光刻技术，对基板进行光刻，获得所需要的阵列分布的表面凹槽。

4.根据权利要求2所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述表面凹槽为不同深宽比的长条纹表面凹槽，各凹槽的深度相同，各凹槽的宽度不同。

5.根据权利要求4所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为20-200μm，凹槽的宽度为20-50μm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，通过将CNTs与液态胶水混合，再涂覆在凹槽中，待胶水凝固，CNTs被牢牢地固定在凹槽之中。

7.根据权利要求1-5任一项所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述吸波薄膜的厚度为20-200μm。

8.根据权利要求1-5任一项所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述基板为金属或陶瓷材料制得。

9.根据权利要求8所述的利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，所述基板为硅片。