[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效
申请号: | 201510471923.X | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN105097841B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 制作方法 基板 | ||
1.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一基板(1),在基板(1)上依次沉积缓冲层(2)与非晶硅层(21);
步骤2、对所述非晶硅层(21)进行准分子激光退火或固相晶化处理,使所述非晶硅层转化为低温多晶硅层,采用一道光刻制程对所述低温多晶硅层进行图案化处理,得到间隔设置的第一有源层(31)、第二有源层(32);
步骤3、在所述第一有源层(31)、第二有源层(32)、及基板(1)上涂布光阻层(30),通过对所述光阻层(30)进行曝光、显影,暴露出所述第一有源层(31)的两端区域,以所述光阻层(30)为遮蔽层,对所述第一有源层(31)的两端进行N型或P型离子注入,得到分别位于所述第一有源层(31)两端的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312);定义所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)之间的区域为第一沟道区(313);
步骤4、对所述光阻层(30)进行灰化处理,对所述第一有源层(31)的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行部分刻蚀,使所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)的高度均低于所述第一沟道区(313)的高度;
步骤5、剥离光阻层(30),在所述第一有源层(31)、第二有源层(32)、及基板(1)上沉积栅极绝缘层(4),在所述栅极绝缘层(4)上沉积第一金属层,采用一道光刻制程对该第一金属层进行图案化处理,得到分别对应于第一有源层(31)、第二有源层(32)上方的第一栅极(51)、第二栅极(52);
步骤6、在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)上方涂布光阻层(50),对所述光阻层(50)进行曝光、显影,暴露出第二栅极(52)以及栅极绝缘层(4)上对应于所述第二有源层(32)上方的区域;以所述第二栅极(52)为遮蔽层,对所述第二有源层(32)的两端进行P型或N型离子注入,得到分别位于所述第二有源层(32)两端的第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322),定义所述第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)之间的区域为第二沟道区(323);
步骤7、剥离光阻层(50),在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)、及栅极绝缘层(4)上沉积层间介电层(6),采用一道光刻制程对所述层间介电层(6)及栅极绝缘层(4)进行图案化处理,在所述层间介电层(6)及栅极绝缘层(4)上对应于所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上方形成第一通孔(61),对应于所述第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)的上方形成第二通孔(62);
步骤8、在所述层间介电层(6)上沉积第二金属层,采用一道光刻制程对该第二金属层进行图案化处理,得到第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74),所述第一源极(71)、第一漏极(72)分别经由第一通孔(61)与所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)相接触,所述第二源极(73)、第二漏极(74)分别经由第二通孔(62)与所述第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)相接触;
步骤9、在所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74)、及层间介电层(6)上涂布平坦层(8),在所述平坦层(8)上沉积钝化层(9),采用一道光刻制程对所述平坦层(8)及钝化层(9)进行图案化处理,在所述平坦层(8)及钝化层(9)上对应于所述第二漏极(74)的上方形成第三通孔(91);
步骤10、在所述钝化层(9)沉积透明导电氧化物层,采用一道光刻制程对所述透明导电氧化物层进行图案化处理,得到像素电极(10),所述像素电极(10)经由第三通孔(91)与所述第二漏极(74)相接触,从而完成TFT基板的制作;
经过所述步骤4的刻蚀后,所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面为低于所述第一沟道区(313)上表面的斜面,即所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面相对于所述第一沟道区(313)上表面形成一个台阶;
或者,所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面包括从所述第一沟道区(313)向外侧高度依次递减的数个台阶,所述数个台阶的台阶面为平面或斜面;
所述步骤4中,采用氧气对所述光阻层(30)进行灰化处理,同时在氧气中加入多晶硅刻蚀性气体对所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行刻蚀;
或者,首先采用氧气对所述光阻层(30)进行灰化处理,然后采用光刻制程对所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行刻蚀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的