[发明专利]阵列基板及其制备方法以及液晶显示器有效
申请号: | 201510472662.3 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN105140237B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 赵瑜;卢改平;张占东;杨祖有;陈辰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/136 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 刘华联;张少辉 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层间绝缘层 半导体层 阵列基板 漏极 源极 液晶显示器 掺杂元素 介电常数 基底 制备 电容 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基底,在所述基底上设置有半导体层,
处于所述半导体层上方的栅极,处于所述半导体层上方且分别处于所述栅极两侧的源极和漏极,
处于所述栅极与源极、栅极与漏极之间的间隙内的层间绝缘层,所述层间绝缘层包含降低其介电常数的掺杂元素;
其中,所述层间绝缘层包括由氧硅化物形成的第一层间绝缘层,掺杂元素为掺杂在所述第一层间绝缘层内的碳、氢和氟中的一种或几种;所述层间绝缘层还包括处于所述第一层间绝缘层上方的由氮硅化合物形成的第二层间绝缘层,掺杂元素为掺杂在所述第二层间绝缘层内的碳、氢和氟。
2.根据权利要求1所述阵列基板,其特征在于,所述掺杂元素在所述层间绝缘层内的物质的量含量在10%到30%之间。
3.一种制备根据权利要求1所述的阵列基板的方法,包括以下步骤,
步骤一:在基底上制备半导体层,在所述半导体层上形成栅极、源极和漏极,
步骤二:在所述半导体层上形成层间绝缘层,所述层间绝缘层填充了所述栅极与所述源极、所述栅极与所述漏极之间的间隙,
形成所述层间绝缘层的原料包含有所述掺杂元素。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述层间绝缘层包括由氧硅化物形成的第一层间绝缘层和处于所述第一层间绝缘层上方的由氮硅化合物形成的第二层间绝缘层,
在所述步骤二中,首先以正硅酸乙酯和氧气的混合物为第一主气体,以甲烷和/或氟硅烷为第一掺杂气体来制备第一层间绝缘层,然后以硅烷、氨气和氮气的混合物为第二主气体,以甲烷和氟硅烷为第二掺杂气体来制备第二层间绝缘层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一掺杂气体在所述第一主气体内的物质的量的含量在10%到20%之间,所述第二掺杂气体在所述第二主气体内的物质的量的含量在5%到15%之间。
6.一种制备根据权利要求1所述的阵列基板的方法,包括以下步骤,
步骤一:在基底上制备半导体层,在所述半导体层上形成栅极、源极和漏极,
步骤二:在所述半导体层上形成层间绝缘层,所述层间绝缘层填充了所述栅极与所述源极、所述栅极与所述漏极之间的间隙,
步骤三:以离子注入的方式向所述层间绝缘层内注入所述掺杂元素的原子。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述层间绝缘层包括由氧硅化物形成的第一层间绝缘层和处于所述第一层间绝缘层上方的由氮硅化合物形成的第二层间绝缘层,
在所述步骤三中,所述掺杂元素的原子被注入到所述第一层间绝缘层内和/或所述第二层间绝缘层内。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述掺杂元素为碳、氢和氟中的一种或几种,
在所述步骤三中,将甲烷和/或氟硅烷等离子化后,通过加速器加速并注入到所述层间绝缘层内。
9.一种液晶显示器,其包括根据权利要求1所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的