[发明专利]在蚀刻材料中制造结构的方法有效
申请号: | 201510472718.5 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN105334704B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 于尔克·霍夫曼;菲利普·西蒙;米夏埃尔·蒂尔;马丁·赫尔马特施格;霍尔格·费舍尔 | 申请(专利权)人: | 纳侬斯桧布有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;冷文燕 |
地址: | 德国巴登*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 材料 制造 结构 方法 | ||
1.一种在蚀刻材料中制造结构的方法,其中借助曝光装置的记录束以依序记录数个子结构(10)的方式在所述蚀刻材料中定义所述结构,其中为了记录所述子结构(10),依序移动并定位所述曝光装置的记录区(12)并且每次在所述记录区(12)内记录一个子结构(10),并且为了定位所述记录区(12),用成像型测量装置在所述蚀刻材料中检测参考结构,其特征在于,在移动后的所述记录区(12)内,在记录子结构(10)之期间,借助所述记录束在所述蚀刻材料中产生至少一个对应于这个子结构(10)的参考结构元素(14),其中在移动所述记录区(12)以记录另一子结构(10)之后,用所述成像型测量装置检测所述参考结构元素(14)。
2.如权利要求1所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,使用蚀刻材料,所述蚀刻材料由于被所述记录束局部照射而改变光学特性特别是其折射率,其中利用所述蚀刻材料的局部改变的光学特性来识别所述参考结构元素(14)。
3.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,移动所述记录区(12)后检测先前所定义的参考结构元素(14)的位置和/或形状,并且根据所述参考结构元素(14)被识别到的位置和/或形状来校正所述记录区(12)的定位和/或有待在所述记录区内记录的所述子结构(10)。
4.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,所述记录束用以产生所述参考结构元素(14)的强度小于用以记录所述子结构(10)的强度。
5.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,记录另一子结构(10)时将所述参考结构元素(14)覆盖。
6.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,各个已记录子结构(10)不相互抵接,其中这样来产生所述参考结构元素(14),使得其位于各个子结构(10)之间。
7.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,记录所述子结构(10)后实施显影方法,其中在实施所述显影方法时移除所述参考结构元素(14)。
8.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,借助定位装置以下述方式实现所述记录区(12)的移动和定位:容纳所述蚀刻材料的衬底相对于位置固定的所述曝光装置进行移动,和/或,所述曝光装置相对于位置固定的所述衬底进行移动。
9.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,借助所述成像型测量装置在所述记录区(12)内部进行图像记录,并且实施图像评价方法以识别所述参考结构元素(14)。
10.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,用所述记录束扫描所述记录区(12)以检测所述参考结构元素(14),并且用光学测量系统检测背散射辐射、反射辐射、透射辐射或因荧光而产生的辐射,以达到成像目的。
11.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,用测量摄像机记录包含所述记录区(12)的视场以检测所述参考结构元素(14)。
12.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,所述参考结构元素(14)在所述记录区(12)内的位置和/或所述参考结构元素(14)的形状因子结构(10)不同而不同。
13.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法,其特征在于,用所述记录束在聚焦区内进行局部照射,所述聚焦区特定而言既可在所述记录区(12)的平面内移动,又可沿垂直于所述记录区(12)的平面的竖向移动。
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