[发明专利]用于将芯片连接到载体的分批工艺有效

专利信息
申请号: 201510473217.9 申请日: 2015-08-05
公开(公告)号: CN105336632B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: R.菲舍尔;A.海因里希;J.马勒;K.勒斯尔;P.施特罗贝尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;胡莉莉
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 芯片载体 芯片连接 转移载体 芯片放置 芯片
【说明书】:

发明涉及用于将芯片连接到载体的分批工艺。公开用于将芯片连接到芯片载体的方法。在一些实施例中用于将多个芯片连接到芯片载体的方法包含:将第一芯片放置在转移载体上,将第二芯片放置在转移载体上,将带有第一和第二芯片的转移载体放置在芯片载体上,并且在第一芯片和芯片载体与在第二芯片和芯片载体之间形成连接。

技术领域

本发明通常涉及用于将多个芯片连接到芯片载体的方法,并且在特定实施例中涉及用于将多个芯片连接到芯片载体的分批工艺。

背景技术

半导体芯片通常被连接到芯片载体(所谓的管芯焊盘)上的芯片接触位置。存在用于在芯片载体和半导体芯片之间生产电接触的各种方法。

发明内容

依据本发明的实施例,用于将多个芯片放置在芯片载体上的方法包括:将第一芯片放置在转移载体上;将第二芯片放置在转移载体上;将带有第一和第二芯片的转移载体放置在芯片载体上;并且在第一芯片和芯片载体与在第二芯片和芯片载体之间形成连接。

依据本发明的其它实施例,用于将多个芯片连接到芯片载体的方法包括:将第一芯片放置在转移载体上,该第一芯片包括芯片前侧电极和芯片背侧电极;将第二芯片放置在转移载体上,该第二芯片仅包括芯片前侧电极;将带有第一和第二芯片的转移载体放置在芯片载体上;并且在第一芯片和芯片载体之间以第一连接介质形成第一连接且在第二芯片和芯片载体之间以第二连接介质形成第二连接。

依据本发明的又其它实施例,用于将多个芯片连接到芯片载体的方法包括:将第一芯片放置在转移载体上;将第二芯片放置在转移载体上;将带有第一和第二芯片的转移载体放置在芯片载体上并且施加压强和温度,由此在第一芯片和芯片载体之间形成第一连接并且在第二芯片和芯片载体之间形成第二连接。

附图说明

为了更完全理解本发明及其优势,现在参考连同附图一起进行的下面描述,在附图中:

图1示出依据本发明的实施例的分批工艺的流程图;

图2a示出设置在转移载体上的不同类型的芯片;

图2b示出带有设置在某些区域上的粘合介质的芯片载体;

图2c示出与芯片载体对准的转移载体;

图2d示出被放置在芯片载体上的转移载体;

图2e示出在分批工艺中被按压在芯片载体上同时施加温度的转移载体;

图2f示出在转移载体已被去除之后接合到芯片载体的不同类型的芯片;

图2g示出带有不同类型的芯片的芯片布置;

图3示出转移载体的顶视图;以及

图4a-4c示出在分批工艺中被按压在芯片载体上同时施加温度的转移载体。

具体实施方式

在传统多芯片封装技术中,驱动器芯片和功率芯片在单独、分离和串行的工艺步骤中被接合到引线框架。比如,在第一接合步骤中功率芯片首先被焊接到引线框架,并且随后在第二单独和分离的接合步骤中驱动器芯片被粘合地连接到引线框架。引线框架被预热到加热板上的温度并且芯片通过拾放工具单独地被按压在引线框架上。这样的单独、分离和串行的接合工艺步骤消耗相当多的处理时间。

本发明的实施例提供用于在高度并行的接合工艺中使用相同或不同的连接介质将多个芯片或多个类型的芯片连接到芯片载体的方法。这样高度并行的接合工艺具有优于传统芯片接合工艺的极大优势,因为它们减少总体处理时间。由于芯片在单个工艺或接合步骤中被连接到芯片载体,所以与传统工艺相比要求更少的工艺步骤。此外,更少的温度步骤是必要的,这提高制造的连接的可靠性。

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