[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件配备有非易失性 存储器的存储器单元，所述方法包括以下步骤：

（a）提供半导体衬底；

（b）在所述半导体衬底之上，经由第一绝缘膜，形成用于所述 存储器单元的第一栅极电极；

（c）在所述半导体衬底之上，经由在其中具有电荷存储部的第 二绝缘膜，形成用于所述存储器单元的第二栅极电极，从而与所述第 一栅极电极相邻；

（d）在所述步骤（c）之后，通过离子注入，在所述半导体衬底 中形成用于所述存储器单元的源极或者漏极的第一半导体区域；

（e）在所述步骤（d）之后，在所述第一栅极电极和所述第二栅 极电极的在与彼此相邻的侧壁相对之侧的相应侧壁上，形成侧壁绝缘 膜；

（f）在所述步骤（e）之后，通过离子注入，在所述半导体衬底 中形成用于所述存储器单元的源极或者漏极的第二半导体区域；

（g）在所述步骤（f）之后，形成第一层间绝缘膜，从而覆盖所 述第一电极和所述第二电极；以及

（h）对所述第一层间绝缘膜进行抛光，以使所述第一栅极电极 和所述第二栅极电极暴露出来，

其中在所述步骤（c）中形成的所述第二栅极电极经由所述第二 绝缘膜与所述第一栅极电极相邻，

其中在所述步骤（f）中形成的所述第二半导体区域具有与所述 第一半导体区域的导电类型相同的导电类型，并且具有比所述第一半 导体区域的杂质浓度更高的杂质浓度，

其中在所述步骤（h）中，去除存在于在所述第一栅极电极与所 述第二栅极电极之间的所述第二绝缘膜的上部，并且

其中在所述步骤（h）中的所述第二绝缘膜的去除长度大于在所 述步骤（f）中形成的所述第二半导体区域的深度。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中通过所述步骤（h），去除了所述第二绝缘膜的区域，所述 区域存在于在所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间、并且已经 由于在所述步骤（f）中的离子注入而注入有杂质。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以 下步骤：

（c1）在所述步骤（c）之后、但是在所述步骤（d）之前，在所 述半导体衬底之上形成伪栅极电极，

其中在所述步骤（g）中，形成所述第一层间绝缘膜，以覆盖所 述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述伪栅极电极，并且

其中在所述步骤（h）中，对所述第一层间绝缘膜进行抛光，以 使所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述伪栅极电极暴露出 来。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以 下步骤：

（i）在所述步骤（h）之后，去除所述伪栅极电极；以及

（j）在沟槽中形成第三栅极电极，所述沟槽是已经通过所述步骤 （i）而被去除了所述伪栅极电极的区域。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第三栅极电极是金属栅极电极。

6.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中通过所述步骤（b）形成的所述第一栅极电极和通过所述步 骤（c1）形成的所述伪栅极电极中的每一个都包括硅膜和在所述硅膜 之上的第三绝缘膜的堆叠膜，并且

其中在所述步骤（h）中，使配置所述第一栅极电极的所述硅膜 和配置所述伪栅极电极的所述硅膜暴露出来。