[发明专利]一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510474064.X | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104975260B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王宙;骆旭梁;付传起;董桂馥;雍帆 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高晶化率 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，选取纯度为99.999％多晶硅粉末及质量百分数为0.1％-1％磷粉末为原料，石墨片为蒸发源，k9玻璃片为基板，将原料、蒸发源和前处理后的基板放置于真空镀膜机中蒸镀，设定基板与原料间距离为140cm，基板温度150℃；将蒸镀后所得到的样品放入真空退火炉中在550℃温度下退火2h，用铝标准腐蚀液对所得样品进行表面腐蚀，得到多晶硅薄膜，所述的铝标准腐蚀液组成为80wt％硫酸、5wt％硝酸、5wt％醋酸和10wt％去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的多晶硅粉末为700目，所述的磷粉末为500目。
3.根据权利要求1所述的一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的基板前处理具体为：基板表面先用去离子水清洗，再依次用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗，烘干。
4.一种高晶化率多晶硅薄膜是按照权利要求1所述的方法制备的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连大学，未经大连大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510474064.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多级磁场电弧离子镀和射频磁控溅射复合沉积方法
- 下一篇：一种耐磨合金材料旋梭
- 同类专利
- 专利分类
