[发明专利]一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法

权利要求书

1.一种焦面位置测试掩膜版，其特征在于，包括：

阻光区，包括具有设定宽度的至少一个阻光图形；

透光区，包括具有设定宽度的至少一个透光图形；

测试图形区，包括至少两种测试图形，所述测试图形为具有设定深度及设定宽度的图形，使得通过所述测试图形的透射光与通过所述透光区的透射光之间的相位差为90°的整数倍，且透射光相应负一级和负二级衍射光的振幅为0；

所述阻光区、测试图形区、透光区依序相连，形成于透明基板上。

2.根据权利要求1所述的测试掩膜版，其特征在于，所述测试图形包括：

第一开口，开口深度为与透光区相连，λ为入射光在空气中的波长，n为所述透明基板的折射率，k为正整数；

第二开口，开口深度为与阻光区相连。

3.根据权利要求2所述的测试掩膜版，其特征在于，所述阻光区、第二开口、第一开口和透光区的宽度比为：4：1：2：1。

4.根据权利要求3所述的测试掩膜版，其特征在于，所述第二开口的宽度为41nm。

5.根据权利要求1、3至4中任一项所述的测试掩膜版，其特征在于，所述测试图形为填充有折射率与透明基板材质不同的开口或通孔。

6.一种基于权利要求1所述的测试掩膜版来确定光刻系统最佳焦面位置的方法，其特征在于，包括步骤：

确定基于所述测试掩膜版成像的图形偏移量与焦距偏移量之间的关系，构建焦距偏移量模型；

通过待检测光刻系统，对所述测试掩膜版成像，获取成像的图形偏移量；

利用所述焦距偏移量模型，获取所述成像的图形偏移量对应的焦距偏移量。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩膜版成像的图形偏移量与光刻系统的焦距偏移量之间的关系通过矢量光刻成像理论获得。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过待检测光刻系统，对所述测试掩膜版成像，获取成像的图形偏移量包括：

提供衬底，所述衬底上形成有光刻胶层；

利用所述测试掩膜版，通过光刻系统对光刻胶层曝光；

进行显影工艺，获取光刻胶层上测试图形成像结果的图形偏移量。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过待检测光刻系统，对所述测试掩膜版成像，获取成像的图形偏移量包括：

利用所述掩膜版，通过光刻系统在图像传感器上成像；

对成像进行处理，获取成像的图形偏移量。