[发明专利]一种横向高压功率器件的结终端结构

权利要求书

1.一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；

所述直线结终端结构与横向高压功率器件有源区结构相同，包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P-well区(6)、源极N⁺接触区(7)、源极P⁺接触区(8)、P型埋层(9)、N型掺杂层(10)；P-well区(6)与N型漂移区(2)位于P型衬底(3)的上层，其中P-well区(6)位于中间，两边是N型漂移区(2)，且P-well区(6)与N型漂移区(2)相连；N型漂移区(2)中远离P-well区(6)的两侧是漏极N⁺接触区(1)，P-well区(6)的表面具有与金属化源极相连的源极N⁺接触区(7)和源极P⁺接触区(8)，其中源极P⁺接触区(8)位于中间，源极N⁺接触区(7)位于源极P⁺接触区(8)两侧；P型埋层(9)位于N型漂移区(2)中，在P-well区(6)与N⁺接触区(1)之间；N型掺杂层(10)位于N型漂移区(2)中，在N型漂移区(2)的表面与P型埋层(9)的上方，在P-well区(6)与N⁺接触区(1)之间；源极N⁺接触区(7)与N型漂移区(2)之间的P-well区(6)表面的上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面的上方是栅极多晶硅(4)；

所述曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P-well区(6)、源极P⁺接触区(8)、P型埋层(9)、N型掺杂层(10)；P-well区(6)表面上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P型埋层(9)和N型掺杂层(10)分别与直线结终端结构中的N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P型埋层(9)和N型掺杂层(10)相连并形成环形结构；其中，曲率结终端结构中的环形N⁺接触区(1)包围环形N型漂移区(2)，曲率结终端结构中的环形N型漂移区(2)内有环形栅极多晶硅(4)和环形栅氧化层(5)；与“直线结终端结构中的P-well区(6)与N型漂移区(2)相连”不同的是，曲率结终端结构中的P-well区(6)与N型漂移区(2)不相连且相互间距为L_P；

其特征在于，所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的连接处与直线结终端结构中N型漂移区(2)和曲率结终端结构中N型漂移区(2)的连接处沿器件纵向方向的间距为b，且沿器件纵向方向，P型埋层(9)超出N型漂移区(2)；所述曲率结终端结构中的环形P型埋层(9)的内壁与曲率结终端结构中的环形N型漂移区(2)和P型衬底(3)的连接处的间距为a；所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的外壁与直线结终端结构中N型掺杂层(10)和曲率结终端结构中N型掺杂层(10)的外壁的间距为d；所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的内壁与直线结终端结构中N型掺杂层(10)和曲率结终端结构中N型掺杂层(10)的内壁的间距为c。

2.根据权利要求1所述的一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于，所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的外壁与直线结终端结构中N型掺杂层(10)和曲率结终端结构中N型掺杂层(10)的外壁的间距d的具体取值范围为0到10微米；所述直线结终端结构中P型埋层(9)和曲率结终端结构中P型埋层(9)的内壁与直线结终端结构中N型掺杂层(10)和曲率结终端结构中N型掺杂层(10)的内壁的间距c的具体取值范围为0到10微米。