[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201510475682.6 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN105448860B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 安部洋一;佐藤祐子 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明提供了具有改善的散热特性的半导体装置。所述半导体装置包括:配线板,具有芯片安装表面和在所述芯片安装表面之上形成的多个电极焊盘;位于所述配线板的芯片安装表面之上的半导体芯片,具有多个接合焊盘;多根导线,用于连接所述电极焊盘和所述接合焊盘;散热板,位于所述半导体芯片之上;以及密封部件,覆盖所述配线板的芯片安装表面、所述半导体芯片、所述导线以及所述散热板。间隔件位于所述配线板的芯片安装表面和所述半导体芯片之间并且所述密封部件位于所述半导体芯片和所述散热板之间。
在此通过引用全部并入2014年9月19日提交的日本专利申请第2014-191224号的公布内容,包括说明书、附图和摘要。
技术领域
本发明涉及半导体装置,并且更为具体而言,涉及用于具有安装在配线板之上的多个半导体芯片的半导体装置的技术。
背景技术
日本未审查专利申请公开第2005-223008号公开了一种半导体模块,其中功率MOS芯片(控制侧元件)5、功率MOS芯片(同步整流侧元件)以及用于驱动在这些芯片上形成的MOSFET的栅极的驱动IC芯片9通过倒装芯片接合安装在安装板3上。在该模块中,散热器53放置于功率MOS芯片5的背面并且散热器53延伸至散热器53覆盖驱动IC芯片9的位置。功率MOS芯片5和驱动IC芯片9囊封入具有树脂材料61的单个封装内。
日本未审查专利申请公开第2012-33559号公开了一种半导体装置200,该半导体装置200包括基板101、放置于基板上的半导体元件103、通过间隔件201放置于半导体元件之上的散热部件107以及覆盖基板101的上部、半导体元件103、间隔件201以及散热部分107的密封部件105(参见图5)。它还公开了半导体装置600,该半导体装置包括在半导体基板101上并排放置的多个半导体芯片(元件)103、通过粘合剂102A放置于半导体芯片103之上的散热部件107以及覆盖基板101的上部、半导体芯片103以及散热部件107的密封部件105(参见图20A和图20B)。
发明内容
本申请发明人检查了下述的半导体装置:包括配线板、通过粘合剂在配线基板上平面地并列放置的第一半导体芯片和第二半导体芯片,用于连接在所述配线板的上表面上形成的多个端子和所述第一半导体芯片和第二半导体芯片的接合焊盘的多根导线,以及使用树脂覆盖所述第一半导体芯片和第二半导体芯片以及所述导线的密封部件。因此,本申请发明人发现了下面的问题。具体而言,本申请发明人检查了上述半导体装置的散热结构。在本申请发明人所检测的半导体装置中,第一半导体芯片和第二半导体芯片的操作保证温度设置为125°或更低。
本申请发明人首先检查了下述的结构:在第一半导体芯片的上表面和第二半导体芯片的上表面之上放置一个散热板,每个通过粘合剂、间隔件以及粘合剂。
第一半导体芯片和第二半导体芯片每个具有矩形上表面并且第一半导体芯片的上表面的尺寸为6x8mm并且第二半导体芯片的上表面的尺寸是2.5x3.5mm。多个接合焊盘是以交错的模式沿着上表面的边缘(侧边)布置在第一半导体芯片和第二半导体芯片的上表面,因此可以安装间隔件的区域比第一半导体芯片和第二半导体芯片的上表面的尺寸小。估计显示位于第一半导体芯片之上的间隔件应是测量为4.5x6.5x0.4(厚度)mm的矩形平行六面体并且位于第二半导体芯片之上的间隔件应是测量为1x2x0.5(厚度)mm的矩形平行六面体。因此,进一步检查所产生的结果是,发现了下面的问题。
首先,发明人发现了下面的问题:由于待安装至第二半导体芯片上表面的间隔件较小,将间隔件安装(放置和接合)在第二半导体芯片之上的工作效率相当低并且安装工作不能稳定的进行,因此制造产量较低。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510475682.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。