[发明专利]一种可双面进光的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201510476303.5 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN105140406B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 杨英;高菁;郭学益;崔嘉瑞;张政;严靖园 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 杨斌 |
地址: | 410000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 制备 对电极层 太阳能电池 透明导电 基底 空穴传输层 透明聚合物 光阳极层 吸收层 对电极 电化学聚合 循环伏安法 制备钙钛矿 铂对电极 依次层叠 金薄膜 聚苯胺 聚吡咯 聚噻吩 纳米晶 透明 | ||
1.一种可双面进光的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述可双面进光的钙钛矿太阳能电池,包括依次层叠的透明导电基底A、光阳极层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、对电极层和透明导电基底B;其中所述对电极层为透明聚合物对电极层;所述透明聚合物对电极层为聚吡咯薄膜对电极或聚噻吩薄膜对电极;所述制备方法包括以下步骤:
(1)在透明导电基底A上制备光阳极层;
(2)在光阳极层上制备钙钛矿吸收层;
(3)在钙钛矿吸收层上制备空穴传输层;
(4)采用循环伏安法在透明导电基底B上通过电化学聚合制备透明聚合物对电极层,将制备的透明聚合物对电极层盖在步骤(3)制备的空穴传输层上,干燥,即得到所述可双面进光的钙钛矿太阳能电池;其中,电化学聚合制备透明聚合物对电极层的过程如下:利用三电极体系,将透明导电基底B放入除空气后的单体电解溶液中,应用循环伏安法在FTO导电玻璃表面聚合形成导电聚合物薄膜层;同时控制聚合过程的扫描电位为-0.40~1.4V,扫描速度为10mV/s~80mV/s,扫描循环圈数为5~70圈。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述透明导电基底A和透明导电基底B均为FTO导电玻璃;所述光阳极层为TiO
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿吸收层为钙钛矿型甲胺铅碘吸收层;所述空穴传输层为spiro-OMeTAD空穴传输层。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中,单体电解溶液为吡咯单体溶液或噻吩单体溶液。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,制备光阳极层的具体过程为:使用旋转涂膜方法,将TiO
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,制备钙钛矿吸收层的具体过程为:在二甲基甲酰胺中加入质量比为1.5~2:1的甲胺碘与碘化铅,在40~80℃恒温下搅拌12~20h,形成均匀的甲胺铅碘溶液;再将所得的甲胺铅碘液旋转涂覆在步骤(1)所得的TiO
7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,空穴传输层的制备过程为:在氯苯中加入spiro-OMeTAD、二(三氟甲磺酰)亚胺锂及4-叔丁基吡啶,在60~100℃下搅拌12~20h形成spiro-OMeTAD空穴传输材料溶液;将所得的spiro-OMeTAD空穴传输材料溶液滴加到步骤(2)所制备的钙钛矿吸收层上,静置10~30min形成粘稠状的空穴传输材料层;其中所述spiro-OMeTAD空穴传输材料溶液中各原料质量百分含量为:4.5~7.0wt%的spiro-OMeTAD,92~99.5wt%的氯苯,0.1~0.4wt%的二(三氟甲磺酰)亚胺锂和0.05~0.09wt%的4-叔丁基吡啶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择