[发明专利]提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法

说明书

本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，属于功率MOSFET的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述提高耐压能力的MOSFET终端结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及位于所述衬底上方且与衬底邻接的漂移区，在与终端区域对应的漂移区内设有耐压氧化体，所述耐压氧化体在垂直贯穿漂移区。本发明在与终端区域对应的漂移区内设置耐压氧化体，耐压氧化体的厚度不小于漂移区的厚度，通过耐压氧化体实施终端的耐压，结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。

技术领域

本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，属于功率MOSFET的技术领域。

背景技术

对于高压的超结MOSFET，其终端结构通常都是通过多组相同的沟槽结构组成，如果想得到足够高的终端区域的耐压，终端结构必须占用很大的面积，如600V高压SJMOSFET，终端结构的宽度至少大于130μm。而MOSFET器件的终端结构占用面积增大时，势必会导致MOSFET的器件区面积减小，降低器件的集成度，会增大使用成本。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，其结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。

按照本发明提供的技术方案，所述提高耐压能力的MOSFET终端结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及位于所述衬底上方且与衬底邻接的漂移区，在与终端区域对应的漂移区内设有耐压氧化体，所述耐压氧化体在垂直贯穿漂移区。

所述耐压氧化体为二氧化硅，耐压氧化体延伸进入衬底内。

一种提高耐压能力的MOSFET终端结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

步骤a、提供用于制备MOSFET器件的半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及用于形成器件区、终端区域的漂移区，所述漂移区位于所述衬底上方且与衬底邻接；

步骤b、在与终端区域对应的漂移区内设有耐压氧化体，所述耐压氧化体垂直贯穿漂移区且延伸进入衬底内。

所述步骤b包括如下步骤：

步骤b1、在与终端区域对应的漂移区内刻蚀得到若干均匀排布的第一终端过渡沟槽，所述第一终端过渡沟槽从漂移区的上表面垂直向下延伸，且第一终端沟槽在漂移区的延伸深度不小于漂移区的厚度；

步骤b2、在第一终端过渡沟槽内通过热氧化和/或淀积制备第一沟槽氧化层，所述第一沟槽氧化层填满第一终端过渡沟槽；

步骤b3、在与终端区域对应的漂移区内刻蚀得到若干均匀排布的第二终端过渡沟槽，所述第二终端过渡沟槽从漂移区的上表面垂直向下延伸，第二终端过渡沟槽在漂移区内的延伸深度不小于漂移区的厚度，且第二终端沟槽与第一终端过渡沟槽邻接；

步骤b4、在第二终端过渡沟槽内沉积第二沟槽氧化层，所述第二沟槽氧化层填满第二终端过渡沟槽；

步骤b5、去除覆盖漂移区上表面上的氧化层，以在漂移区内得到耐压氧化体。

所述第一终端过渡沟槽的宽度为2μm~8μm，相邻第一终端过渡沟槽间的距离为2μm~8μm。

所述耐压氧化体为二氧化硅，耐压氧化体延伸进入衬底内。

本发明的优点：在与终端区域对应的漂移区内设置耐压氧化体，耐压氧化体的厚度不小于漂移区的厚度，通过耐压氧化体实施终端的耐压，结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。

附图说明