[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

第一导电型的第一半导体区域，其形成于所述半导体基板的主面部，并且为从与所述主面部垂直的方向观察包括以规定的宽度沿规定的方向延伸的延伸部的形状；

第一导电型的第二半导体区域，其以远离所述第一半导体区域的方式形成于所述主面部，并且为从与所述主面部垂直的方向观察包括沿着所述第一半导体区域的所述延伸部的部分的形状；

电场缓和层，其形成于所述主面部的所述第二半导体区域侧，并且由与所述第一导电型不同的导电型的第二导电型的半导体层形成；以及

导电体，其与所述第二半导体区域连接，该导电体的所述第一半导体区域侧的端部位于所述电场缓和层的范围内，

所述半导体装置还包括：

场效应晶体管，其将所述第一半导体区域作为源极，将所述第二半导体区域作为漏极，所述漏极被所述源极包围；

漂移层，其以包含所述漏极的至少一部分以及所述电场缓和层的至少一部分的方式形成于所述主面部，并且由所述第一导电型的半导体层形成；以及

阈值调整层，其以包含所述源极的至少一部分的方式形成于所述主面部，并且由所述第二导电型的半导体层形成，

所述电场缓和层面向所述第一半导体区域的端部和所述漂移层面向所述第一半导体区域的端部重合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二半导体区域形成为包括沿着所述延伸部的部分的岛状的形状，

所述第一半导体区域形成为包括所述延伸部并且包围所述第二半导体区域的形状。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述延伸部的延伸方向的前端的形状从与所述主面部垂直的方向观察为半圆形状。

4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述导电体的端部配置于距离所述电场缓和层的所述第一半导体区域侧的端部2μm～4μm的位置。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述导电体的端部配置于距离所述电场缓和层的所述第一半导体区域侧的端部2μm～4μm的位置。

6.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备绝缘体，所述绝缘体形成于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间的所述主面部，所述绝缘体分离所述第一半导体区域和所述第二半导体区域，

所述电场缓和层形成于所述绝缘体的下部的所述主面部。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备绝缘体，所述绝缘体形成于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间的所述主面部，所述绝缘体分离所述第一半导体区域和所述第二半导体区域，

所述电场缓和层形成于所述绝缘体的下部的所述主面部。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备绝缘体，所述绝缘体形成于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间的所述主面部，所述绝缘体分离所述第一半导体区域和所述第二半导体区域，

所述电场缓和层形成于所述绝缘体的下部的所述主面部。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备绝缘体，所述绝缘体形成于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间的所述主面部，所述绝缘体分离所述第一半导体区域和所述第二半导体区域，

所述电场缓和层形成于所述绝缘体的下部的所述主面部。

10.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述延伸部的附近的相互对置的所述漂移层与所述阈值调整层的距离，比在所述延伸部的附近以外的相互对置的所述漂移层与所述阈值调整层的距离长。