[发明专利]压力传感器及其封装方法

权利要求书

1.一种压力传感器的封装方法，其包括如下步骤：

(a).提供压力传感器芯片的半成品，所述压力传感器芯片的半成品包括衬底、腔体以及与所述腔体相配合的敏感膜，所述敏感膜能够随着外力的作用而发生变化，所述衬底能够在所述敏感膜过度变形时阻挡所述敏感膜，从而使所述敏感膜不易破裂；

(b).在所述敏感膜上制作出有图形的保护层，用于保护所述敏感膜不被腐蚀；

(c).采用碱性溶液对所述衬底进行腐蚀，并在没有所述腔体的一侧腐蚀出台阶；

(d).去除所述保护层，然后在所述敏感膜上以及所述台阶上淀积绝缘层，并在所述绝缘层上制作第一焊盘以及与所述第一焊盘相连接的引线；

(e).提供具有第二焊盘的基板以及具有第三焊盘的集成电路芯片，并将所述集成电路芯片附着在所述基板上，同时露出所述第二焊盘，以及将将所述压力传感器芯片附着在所述集成电路芯片上，同时露出所述第三焊盘；

(f).接着采用引线键合的工艺将所述第二焊盘与所述第三焊盘通过第一金属线电气连接在一起，以及将所述第一焊盘与所述第三焊盘通过第二金属线电气连接在一起；

(g).采用注塑成型工艺将硬质材料包裹在所述集成电路芯片、所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第一金属线以及所述第二金属线上。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤(b)中，所述保护层是通过采用淀积、光刻、反应离子刻蚀工艺制作而成的。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤(c)中，所述碱性溶液是四甲基氢氧化铵(TMAH)或者氢氧化钾(KOH)溶液。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤(d)中，所述保护层是采用干法或湿法腐蚀的方法而去除的。

5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤(e)中，再采用点胶、芯片键合工艺将所述集成电路芯片附着在所述基板上；再采用点胶、芯片键合工艺将所述压力传感器芯片附着在所述集成电路芯片上。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤(f)中，所述第二金属线的线弧高度不超过所述敏感膜。

7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤(g)中，所述硬质材料为树脂。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于：所述封装方法在所述步骤(g)之后还包括如下步骤：

(h).最后再在所述硬质材料以及所述敏感膜上再制作一层软质材料的隔离层。

9.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于：在步骤(h)中，所述软质材料为硅胶。

10.一种压力传感器，其包括具有第二焊盘的基板、附着在所述基板上且具有第三焊接盘的集成电路芯片以及附着在所述集成电路芯片上的压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括衬底、扁平的腔体以及与所述腔体相配合的敏感膜，所述敏感膜能够随着外力的作用而发生变化；其特征在于：所述压力传感器芯片在封装前具有位于一侧的台阶、淀积在所述敏感膜以及所述台阶上的绝缘层、位于所述台阶的所述绝缘层上的第一焊盘以及与所述第一焊盘相连接的引线，所述第二焊盘与所述第三焊盘通过第一金属线电气连接在一起，所述第一焊盘与所述第三焊盘通过第二金属线电气连接在一起，其中所述压力传感器还包括包裹在所述集成电路芯片、所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第一金属线以及所述第二金属线上的硬质材料。

11.如权利要求10所述的压力传感器，其特征在于：所述台阶包括底面、顶面以及连接所述底面与所述顶面的倾斜面，至少部分所述绝缘层覆盖在所述底面、所述倾斜面以及所述顶面上。

12.如权利要求10所述的压力传感器，其特征在于：所述第二金属线的线弧高度不超过所述敏感膜。

13.如权利要求10所述的压力传感器，其特征在于：所述第一焊盘高于所述第三焊盘，所述第三焊盘高于所述第二焊盘，所述第一焊盘、所述第二焊盘以及所述第三焊盘均低于所述敏感膜。

14.如权利要求10所述的压力传感器，其特征在于：所述压力传感器还包括覆盖在所述硬质材料以及所述敏感膜上的软质材料的隔离层。

15.如权利要求14所述的压力传感器，其特征在于：所述硬质材料为树脂，所述软质材料为硅胶。