[发明专利]一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器

权利要求书

1.一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器，包括第一反向增益级、正向增益级、第二反相增益级、补偿电容和前馈跨导放大级，所述第一反向增益级、正向增益级和第二反向增益级依次串联，补偿电容的两端分别与第一反向增益级的输出端和第二反向增益级的输出端连接,其特征在于，还包括并联了一个电容的共源共栅补偿级，所述共源共栅补偿级的输出端与第一反向增益级的输出端连接，输入端与第二反向增益级的输出端连接，所述前馈跨导放大级的输出端与所述第二反相增益级的输出端连接，输入端与正向增益级的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器，其特征在于，与共源共栅补偿级并联的电容的值为120fF~180fF。

3.根据权利要求2所述的一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器，其特征在于，与共源共栅补偿级并联的电容的值为150fF。

4.根据权利要求2或3所述的一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器，其特征在于，所述共源共栅补偿级包括第四NMOS晶体管M7和补偿电容C_m1，所述第一反相增益级包括第一PMOS晶体管M1，所述第一PMOS晶体管M1的漏极分别连接了第二PMOS晶体管M2和第三PMOS晶体管M3的源极，所述第二PMOS晶体管M2的漏极分别连接了第一NMOS晶体管M4的漏极和第三NMOS晶体管M6的源极，所述第二PMOS晶体管M2的栅极与电源负极连接，所述第三PMOS晶体管M3的栅极与电源正极连接，所述第三PMOS晶体管M3的漏极通过补偿电容C_m1连接了负载电容C_L，所述第三NMOS晶体管M6的源极连接了第一NMOS晶体管M4的漏极，所述第三NMOS晶体管M6的漏极连接了第四PMOS晶体管M8的漏极和栅极，所述第四NMOS晶体管M7的栅极、源极和漏极分别连接了第三NMOS晶体管M6的栅极、第二PMOS晶体管M5的漏极和第五PMOS晶体管M9的漏极，所述第一NMOS晶体管M4和第二PMOS晶体管M5的源极均接地。

5.根据权利要求4所述的一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器，其特征在于，所述正向增益级包括第五NMOS晶体管M10，所述第五NMOS晶体管M10的漏极分别连接了第六NMOS晶体管M11和第六PMOS晶体管M13的漏极，所述第六NMOS晶体管M11的漏极和栅极分别连接了第六PMOS晶体管M13的漏极和第七NMOS晶体管M12的栅极，所述第七NMOS晶体管M12的漏极连接了第七PMOS晶体管M14的漏极，所述第六PMOS晶体管M13的漏极分别与第六NMOS晶体管M11和第七NMOS晶体管M12的栅极连接，所述第七PMOS晶体管M14的栅极分别与第四PMOS晶体管M8的栅极和第三NMOS晶体管M6的漏极连接，所述第五NMOS晶体管M10、第六NMOS晶体管M11和第七NMOS晶体管M12的源极均接地。

6.根据权利要求5所述的一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器，其特征在于，所述前馈跨导放大级包括第八PMOS晶体管M15，所述第八PMOS晶体管M15的栅极分别与所述第四NMOS晶体管M7和第五PMOS晶体管M9的漏极连接。

7.根据权利要求6所述的一种适合宽容性负载范围的三级运算放大器，其特征在于，所述第二反相增益级包括第八NMOS晶体管M16，所述第八NMOS晶体管M16的漏极与第八PMOS晶体管M15的漏极连接，所述第八PMOS晶体管M15与第八NMOS晶体管M16的连接处，和第四NMOS晶体管M7与第五PMOS晶体管M9连接处之间跨接有补偿电容C_m2，所述第八NMOS晶体管M16的栅极分别与第七NMOS晶体管M12和第七PMOS晶体管M14的漏极连接，所述第八NMOS晶体管M16的源极接地。