[发明专利]一种3D芯片堆叠的含Yb、纳米Cu的互连材料有效
| 申请号： | 201510477617.7 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105161483A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张亮;郭永环;孙磊 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 周爱芳 |
| 地址： | 221116 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 堆叠 yb 纳米 cu 互连 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种3D芯片堆叠的含Yb、纳米Cu的互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：稀土Yb含量为0.01～0.5％，纳米Cu颗粒为1～5％，其余为In。
2.一种权利要求1所述的一种3D芯片堆叠的含Yb、纳米Cu的互连材料的制备方法，其特征在于：可以采用生产复合金属材料的常规制备方法得到。
3.一种权利要求1所述的一种3D芯片堆叠的含Yb、纳米Cu的互连材料的制备方法，其特征在于：首先制备In-Yb中间合金粉末，其次混合In-Yb粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Cu颗粒，充分搅拌制备膏状含Yb和纳米Cu颗粒的互连材料。
4.一种利用权利要求3所述方法得到的一种3D芯片堆叠的含Yb、纳米Cu的互连材料形成高强度焊点的方法，其特征在于：使用膏状含Yb和纳米Cu颗粒的互连材料，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在1MPa～10MPa压力和温度170℃～260℃条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。
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