[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510477625.1 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105576028B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张家玮;巫柏奇;张哲诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域包括用于短栅极长度器件的第一鳍部，所述第二区域包括用于长栅极长度器件的第二鳍部；
第一伪材料，位于所述第一区域上方，所述第一伪材料以第一距离远离所述半导体衬底延伸；
第二伪材料，位于所述第二区域上方，所述第二伪材料以第二距离远离所述半导体衬底延伸，所述第二距离大于所述第一距离；以及
第二隔离区域，至少部分地限定所述第二区域，所述第二伪材料在所述第二隔离区域下方凹陷。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一隔离区域，至少部分地限定所述第一区域，所述第一伪材料在所述第一隔离区域下方凹陷。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：第一间隔件，与所述第一隔离区域和所述第一伪材料物理接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二间隔件，与所述第二隔离区域和所述第二伪材料物理接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二距离比所述第一距离大
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一伪材料包括非晶硅。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一伪材料包括金属。
8.一种半导体器件，包括：
第一多个鳍部，位于半导体衬底上方；
第二多个鳍部，位于所述半导体衬底上方；
第一伪栅极材料，位于所述第一多个鳍部上方；
第二伪栅极材料，位于所述第二多个鳍部上方，其中，所述第一伪栅极材料在所述第一多个鳍部上方具有第一厚度，所述第二伪栅极材料在所述第二多个鳍部上方具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度；以及
隔离区域，所述第二伪栅极材料在所述隔离区域下方凹陷，
其中，所述第二伪栅极材料的栅极长度大于所述第一伪栅极材料的栅极长度。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一厚度在和之间。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二厚度在和之间。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：第一栅极介电质，位于所述第一伪栅极材料和所述第一多个鳍部之间。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：第二栅极介电质，位于所述第二伪栅极材料和所述第二多个鳍部之间，其中，所述第二栅极介电质的栅极长度大于所述第一栅极介电质的栅极长度。
13.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：间隔件，位于所述第一多个鳍部的没有被所述第一伪栅极材料覆盖的部分上方。
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