[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201510478118.X | 申请日: | 2015-08-07 |
公开(公告)号: | CN105161623B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 袁宁一;吕明航;丁建宁;张帅 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 钙钛矿 钙钛矿薄膜 光敏层 制备 透明导电玻璃 电子传输层 钙钛矿结构 工业化条件 金属电极层 空穴传导层 潮湿环境 光伏电池 可控制 有效地 阻隔层 基底 沉积 侵蚀 应用 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,所述钙钛矿太阳能电池包括从下至上的透明导电玻璃基底、电子传输层、钙钛矿光敏层、空穴传导层和金属电极层,所述钙钛矿光敏层两侧围有ITO阻隔层;制备方法包括在透明导电玻璃基底上沉积一层电子传输层的步骤,再在电子传输层上涂覆填充一层钙钛矿光敏层的步骤,接着在钙钛矿光敏层上沉积一层空穴传导层的步骤,最后在空穴传导层上蒸镀一层金属电极层的步骤;其特征在于:上述制备过程是在空气中进行制备的,所述的再在电子传输层上涂覆填充一层钙钛矿光敏层的步骤为:先在电子传输层上两侧制备一层具有围墙结构的ITO阻隔层,然后在ITO阻隔层里涂覆填充一层钙钛矿光敏层;所述的在ITO阻隔层里涂覆填充一层钙钛矿光敏层的步骤为:将摩尔数之比为1:1的PbI2粉末和CH3NH3I晶体混合溶解在二甲基乙酰胺和超纯水按照体积比19:1组成的溶剂中,并60℃下搅动12小时,得到浓度为1.5mol/L的CH3NH3PbI3溶液;在相对湿度为26-30%的环境中,将CH3NH3PbI3溶液旋涂在阻隔层里,转速为5000r.p.m,时间为40s,然后100℃下加热10min,最后冷却得到填充在ITO阻隔层里的钙钛矿光敏层。
2.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述的先在电子传输层上制备一层具有围墙结构的ITO阻隔层指:在电子传输层上采用直流磁控溅射法沉积300-400nm厚的均匀致密的ITO阻隔层。
3.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述透明导电玻璃基底为FTO导电玻璃,其方块电阻是8-10Ω,透过率在80%。
4.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述电子传输层为氧化锌层,层厚为30-40nm。
5.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述钙钛矿光敏层被涂覆填充在具有围墙结构的ITO阻隔层里,层厚为300-400nm。
6.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述空穴传导层为P3HT,层厚为100-150nm。
7.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述金属电极层为Ag电极,层厚为150nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学,未经常州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510478118.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择