[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效
申请号: | 201510478366.4 | 申请日: | 2015-07-04 |
公开(公告)号: | CN105280137B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 吴锦美;孙庚模;金圣训 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 及其 制造 方法 | ||
有机发光显示器及其制造方法。讨论了一种用于显示装置的子像素结构以及制造该显示装置的方法。所述子像素结构可以包括发光二极管、具有第一栅极和第一有源层的第一开关晶体管、具有第二栅极和第二有源层的驱动晶体管、包括第三栅极和第三有源层的第二开关晶体管,并且所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极中的至少一个被设置在对应的所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层与基板之间。
技术领域
本发明涉及有机发光显示器及其制造方法,并且更具体地,涉及一种具有高分辨率和高可靠性的有机发光显示器及其制造方法。
背景技术
在屏幕上显示各种各样的信息的图像显示器是信息时代的关键技术,并且在朝着轻重量、便携和高性能的趋势发展。因此,能够减少重量和体积,即克服CRT的缺点的平板显示器已经成为热点。
平板显示器包括形成在基板上并且用作开关单元和驱动单元的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括形成沟道区的有源层、与沟道区交叠的栅极以及彼此相对设置并且其间插置有沟道区的源极和漏极。
在这种有源层中,非晶硅薄膜沉积在基板上并且通过热处理结晶成为多晶硅。更详细地,如果激光照射到非晶硅层上,则经由瞬间溶解和凝固工艺进行冷却,进而生成固态的多晶硅芯。进一步地,执行根据温度梯度,固体和液体界面在多晶硅芯的向上方向和横向方向上前进的生长工艺。在这种凝固工艺中,在三个或更多个方向上生长的固态颗粒在一条线上相交,这种界面形成颗粒边界。然而,因为被激光溶解的非晶硅层具有高凝固速度,容纳根据非晶硅层的固态和液态之间的变化的体积膨胀的空间是不足的,在由芯生长而在三个或更多个方向上相交形成的颗粒边界中的点处的非晶硅层(即,有源层16)向上突出并且形成突起,例如图1中所示。因此,电场集中在有源层16的突起上,导致栅绝缘膜14的介电击穿,进而,栅极18和有源层16之间发生电短路。进一步地,通常,有源层16的存储区和存储电极彼此交叠且栅绝缘层14插置在二者之间,并且在基板1上形成存储电容器。这里,由于通过独立于有源层16的沟道区而执行的掺杂工艺将有源层16的存储区形成在缓冲层12上并且有源层16的存储区位于不同于沟道区的区域,不能够获得高分辨率。此外,如果使用柔性基板以使得平板更薄,则晶体管的电流会由于杂质(诸如从柔性基板引入的移动电荷)而劣化。
发明内容
因此,本发明致力于一种有机发光显示器及其制造方法,其实质上解决了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种具有高分辨率和高稳定性的有机发光显示器及其制造方法。
本发明的实施方式的附加优点、目的和特征将在以下描述中部分地阐述,并且对于本领域普通技术人员而言,在研读了下文后将部分地变得明显,或者可以从具体实现的本发明的实践来学习。具体实现的本发明的目的和其它优点将通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和达到。
将理解,本发明的以上总体描述和以下具体描述二者均是示例性和说明性的,并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与本说明书一起用来说明具体实现的本发明的原理。附图中:
图1是例示应用于现有技术的有机发光显示器的晶体管的截面图;
图2是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光显示器的各个子像素的电路图;
图3是例示图2所示的有机发光显示器的平面图;
图4是例示沿图3的线I-I’截取的有机发光显示器的截面图;
图5是详细例示图4所示的存储电容器的截面图;
图6A和图6B是例示图3和图4所示的存储电极的制造方法的平面图和截面图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510478366.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的