[发明专利]横向高压器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510478465.2 | 申请日： | 2015-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105161538A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 乔明;王裕如;代刚;周锌;何逸涛;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 高压 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种横向高压器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(1)、设置在第一导电类型半导体衬底(1)上方的第二导电类型半导体漂移区，其特征在于：所述第二导电类型半导体漂移区由自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区(21,22…2i)，每个第二导电类型半导体子漂移区包括：1个位于所述第二导电类型半导体子漂移区左侧的第一导电类型半导体体区，1个设置于所述第一导电类型半导体体区右侧的第一导电类型半导体降场层；
最上面的第二导电类型半导体第i漂移区上表面设有：氧化层(5)、金属前介质(6)、栅氧化层(7)、多晶硅栅电极(8)、第二导电类型半导体漏区(9)、第二导电类型半导体源区(10)、第一导电类型半导体体接触区(11)、源极金属(12)、漏极金属(13)、设置于所述第i漂移区中的第一导电类型半导体第i降场层上方的第二导电类型半导体第i重掺杂层(5i)；
所述场氧化层(5)嵌入最上面的第二导电类型半导体第i重掺杂层(5i)的上方，第二导电类型半导体漏区(9)的上表面与所述第二导电类型半导体第i漂移区的上表面平齐，所述场氧化层(5)和所述第二导电类型半导体漏区(9)连接，所述第二导电类型半导体源区(10)和第一导电类型半导体体接触区(11)设置在第一导电类型半导体第i体区(3i)中，且第二导电类型半导体源区(10)和第一导电类型半导体体接触区(11)的上表面与第一导电类型半导体第i体区(3i)的上表面平齐，第二导电类型半导体源区(10)和第一导电类型半导体体接触区(11)连接，所述栅氧化层(7)覆盖第二导电类型半导体源区(10)的部分上表面并延伸至第二导电类型半导体第i漂移区(2i)的上表面后与场氧化层(5)连接，所述多晶硅栅电极(8)覆盖栅氧化层(1)的上表面和部分氧化层(5)的上表面，所述金属前介质(6)覆盖部分第二导电类型半导体源区(10)的上表面、多晶硅栅电极(8)的上表面、氧化层(5)的上表面和部分第二导电类型半导体漏区(9)的上表面，所述源极金属(12)覆盖第一导电类型半导体体接触区(11)的上表面、第二导电类型半导体源区(10)的部分上表面并与金属前介质(6)连接，在金属前介质(6)的上表面延伸形成场板，所述漏极金属(13)覆盖第二导电类型半导体漏区(9)的部分上表面并与金属前介质(6)连接，在金属前介质(6)的上表面延伸形成场板。
2.根据权利要求1所述的横向高压器件，其特征在于：每个第二导电类型半导体子漂移区中的第一导电类型半导体降场层上方均设有一个第二导电类型半导体重掺杂层。
3.根据权利要求1或2所述的横向高压器件，其特征在于：还包括埋氧层(2)，所述埋氧层(2)设置在第一导电类型半导体衬底(1)和第二导电类型半导体第一漂移区(21)之间并分别与第一导电类型半导体衬底(1)和第二导电类型半导体第一漂移区(21)连接。
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