[发明专利]薄膜晶体管基板以及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：

一基板；

一栅极电极，配置于所述基板上；

一半导体层，与所述栅极电极电性绝缘；

一源/漏极电极，与所述半导体层电性连接；

一第一保护层，配置于所述半导体层与所述源/漏极电极之间，具有一第一氧空位浓度；

一第二保护层，配置于所述第一保护层与所述源/漏极电极之间，具有一第二氧空位浓度；以及

一交界区，位于所述第一保护层与所述第二保护层之间，具有一第三氧空位浓度，其中，所述第三氧空位浓度大于所述第一氧空位浓度且大于所述第二氧空位浓度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一氧空位浓度大于所述第二氧空位浓度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一保护层的厚度介于20纳米至40纳米之间。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二保护层的厚度介于40纳米至100纳米之间。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述半导体层是一金属氧化物半导体层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述金属氧化物半导体层的材料选自于氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌锡、氧化铟锡及其混合所组成的群组之中的其中一种。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一保护层与所述第二保护层的材料为氧化硅，其中，硅原子与氧原子的原子比例介于1:1.8到1:2.2之间。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述交界区的材料为氧化硅，其中，硅原子与氧原子的原子比例在1:1.5到1:2.0之间。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

一第一基板；

一第二基板，与所述第一基板相对；

一显示介质，配置在所述第一基板与所述第二基板之间；以及

一主动元件层，配置于所述第一基板上，所述主动元件层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

一栅极电极，配置于所述第一基板上；

一半导体层，与所述栅极电极电性绝缘；

一源/漏极电极，与所述半导体层电性连接；

一第一保护层，配置于所述半导体层与所述源/漏极电极之间，具有一第一氧空位浓度；

一第二保护层，配置于所述第一保护层与所述源/漏极电极之间，具有一第二氧空位浓度；以及

一交界区，位于所述第一保护层与所述第二保护层之间，具有一第三氧空位浓度，其中，所述第三氧空位浓度大于所述第一氧空位浓度且大于所述第二氧空位浓度。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一氧空位浓度大于所述第二氧空位浓度。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一保护层的厚度介于20纳米至40纳米之间。

12.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第二保护层的厚度介于40纳米至100纳米之间。

13.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述半导体层是一金属氧化物半导体层。

14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述金属氧化物半导体层的材料选自于氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌锡、氧化铟锡及其混合所组成的群组之中的其中一种。

15.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一保护层与所述第二保护层的材料为氧化硅，其中，硅原子与氧原子的原子比例在1:1.8到1:2.2之间。

16.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述交界区的材料为氧化硅，其中，硅原子与氧原子的原子比例介于1:1.5到1:2.0之间。