[发明专利]电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片有效

专利信息
申请号: 201510479693.1 申请日: 2015-08-07
公开(公告)号: CN104989663B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 彭卓;陈忠志;赵翔 申请(专利权)人: 成都芯进电子有限公司
主分类号: F04D27/00 分类号: F04D27/00;F04D25/08
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 代理人: 李林合
地址: 610097 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电压 控制 转速 直流 风扇 驱动 芯片
【权利要求书】:

1.一种电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,包括H桥输出电路,以及H桥控制电路,其特征在于,所述H桥输出电路和H桥控制电路之间设有风机转速调整模块;所述风机转速调整模块包括设置在所述H桥输出电路和H桥控制电路之间的逻辑控制电路,以及分别与所述逻辑控制电路的输入端连接的第一阈值电压检测电路,第二阈值电压检测电路和方波信号产生电路;

外部输入电压介于阈值Vth1与阈值Vth2之间时,本驱动芯片的电压输出端交替输出方波信号和低电平;外部输入电压低于阈值Vth1或高于阈值Vth2时,本驱动芯片的电压输出信号等于现有驱动芯片的输出信号。

2.根据权利要求1所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,所述第一阈值电压检测电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、齐纳二极管D、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4;所述第一电阻R1的一端与外部输入电压VIN连接,另一端连接至所述齐纳二极管D的阴极;所述齐纳二极管D的阳极分别与所述第一晶体管T1的漏极和栅极、第二晶体管T2的漏极连接;所述第一晶体管T1的源极分别与所述第二晶体管T2的源极、第三晶体管T3的漏极和栅极连接;所述第三晶体管T3的栅极与第四晶体管T4的栅极连接;所述第四晶体管T4的漏极通过第二电阻R2连接至内部工作电压VDD;所述第三晶体管T3的源极和第四晶体管T4的源极均接地。

3.根据权利要求2所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,所述第二阈值电压检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9和第十晶体管T10;所述第三电阻R3的一端与内部工作电压VDD连接,另一端分别与所述第五晶体管T5的漏极和栅极、第九晶体管T9的源极连接;所述第五晶体管T5的源极分别与所述第九晶体管T9的漏极、第六晶体管T6的漏极和栅极连接;所述第六晶体管T6的源极分别与所述第七晶体管T7的漏极和栅极连接;所述第七晶体管T7分别与所述第八晶体管T8的漏极和栅极连接;所述第八晶体管T8的栅极与第十晶体管T10的栅极连接;所述第十晶体管T10的漏极通过第四电阻R4连接至内部工作电压VDD;所述第八晶体管T8的源极和第十晶体管T10的源极均接地。

4.根据权利要求3所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,所述逻辑控制电路包括第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6、第七反相器INV7、第一或非门NOR1、第二或非门NOR2、第一与非门NAND1和第二与非门NAND2;所述第一反相器INV1的输入端与第四晶体管T4的漏极连接,输出端连接至所述第一或非门NOR1的输入端;所述第二反相器INV2和第三反相器INV3串联连接,且所述第二反相器INV2的输入端与所述第十晶体管T10的漏极连接,所述第三反相器INV3的输出端连接至第一或非门NOR1的输入端;所述第一或非门NOR1的输出端与第四反相器INV4的输入端连接;第四反相器INV4的输出端连接至所述第二或非门NOR2的输入端;所述第二或非门NOR2的输出端连接至第五反相器INV5的输入端;所述第五反相器INV5的输出端分别与所述第一与非门NAND1和第二与非门NAND2的输入端连接;所述第一与非门NAND1和第二与非门NAND2的输出端分别通过一反相器连接至H桥输出电路;H桥控制电路分别与所述第一与非门NAND1和第二与非门NAND2的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,方波信号产生电路包括振荡器,与所述振荡器的输出端连接的分频器,所述分频器的输出端分别与所述第四反相器INV4的输入端和第二或非门NOR2的输入端连接。

6.根据权利要求2所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,所述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4均为NOMS管。

7.根据权利要求3所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第十晶体管T10均为NOMS管。

8.根据权利要求3所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,所述第九晶体管T9为PMOS管。

9.根据权利要求5所述的电压控制转速的直流无刷风扇驱动芯片,其特征在于,所述分频器的输出频率大于30KHZ。

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