[发明专利]太阳能电池的后加工设备有效
申请号: | 201510481460.5 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN105185865B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 李敬秀;崔珉浩;朴相昱;李真荧;郭界永 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 加工 设备 | ||
1.一种太阳能电池的后加工设备,所述后加工设备执行包括用于对具有半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时向所述太阳能电池提供光的主时段的后加工操作,所述后加工设备包括:
主区段,所述主区段用于执行所述主时段;以及
冷却区段,所述冷却区段用于执行用于冷却所述半导体基板的冷却时段,所述冷却时段在所述主时段之后执行,
其中所述主区段包括用于向所述半导体基板提供热量的第一热源单元以及用于向所述半导体基板提供光的光源单元,所述第一热源单元和所述光源单元位于所述主区段中,并且
所述光源单元包括由等离子体发光系统PLS构成的光源。
2.根据权利要求1所述的后加工设备,其中,由所述光源提供至所述半导体基板的光具有600nm至1000nm的波长。
3.根据权利要求1所述的后加工设备,其中,所述光源在其发光表面处设置有覆盖基板,所述覆盖基板包括基底基板和位于所述基底基板上的多个层,所述多个层包括具有不同折射率的氧化物。
4.根据权利要求1所述的后加工设备,其中,所述光源单元和所述第一热源单元在所述光源单元和所述第一热源单元彼此间隔开的状态下分别向所述半导体基板提供光和热。
5.根据权利要求1所述的后加工设备,所述后加工设备还包括:
温度上升区段,所述温度上升区段用于执行用于预备加热所述半导体基板的温度上升时段,所述温度上升时段在所述主时段之前执行,
其中,所述温度上升区段包括用于预备加热所述半导体基板的第二热源单元,所述第二热源单元位于所述温度上升区段中。
6.根据权利要求5所述的后加工设备,所述后加工设备还包括附加的热源单元,所述附加的热源单元位于所述温度上升区段的入口处,使得所述附加的热源单元与所述第二热源单元相对。
7.根据权利要求1所述的后加工设备,所述后加工设备还包括:
温度上升区段,所述温度上升区段用于执行用于预备加热所述半导体基板的温度上升时段,所述温度上升时段在所述主时段之前执行;
冷却区段,所述冷却区段用于执行用于冷却所述半导体基板的冷却时段,所述冷却时段在所述主时段之后执行;以及
传送带,所述传送带穿过所述温度上升区段、所述主区段以及所述冷却区段,并且所述太阳能电池放置在所述传送带上,
其中,基于直线式的处理来执行所述温度上升时段、所述主时段以及所述冷却时段。
8.根据权利要求7所述的后加工设备,所述后加工设备还包括划分壁单元,所述划分壁单元位于限定在所述温度上升区段与所述主区段之间的用于划分所述温度上升区段和所述主区段的空间、以及限定在所述主区段与所述冷却区段之间的用于划分所述主区段与所述冷却区段的空间的至少一个空间处。
9.根据权利要求7所述的后加工设备,其中,所述温度上升区段和所述冷却区段中的至少一个还包括与所述主区段相邻的附加的光源。
10.根据权利要求7所述的后加工设备,所述后加工设备还包括:
气帘组件,所述气帘组件位于所述温度上升区段的入口、限定在所述温度上升区段与所述主区段之间的空间、限定在所述主区段与所述冷却区段之间的空间、以及所述冷却区段的出口的至少一个处。
11.根据权利要求1所述的后加工设备,所述后加工设备还包括:
温度上升区段,所述温度上升区段用于执行用于预备加热所述半导体基板的温度上升时段,所述温度上升时段在所述主时段之前执行;以及
冷却区段,所述冷却区段用于执行用于冷却所述半导体基板的冷却时段,所述冷却时段在所述主时段之后执行,
其中,所述温度上升区段、所述主区段以及所述冷却区段具有在所述太阳能电池固定的状态下执行处理的批处理结构。
12.根据权利要求1所述的后加工设备,其中,所述太阳能电池放置在传送带或工作台上,并且
所述传送带或所述工作台具有网格结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的