[发明专利]感性负载低电压保护电路及保护方法

权利要求书

1.一种感性负载低电压保护电路，其特征在于，所述保护电路至少包括直流电源输出单元、处理器单元、低电压过流检测单元、以及脱扣器驱动单元；所述直流电源输出单元分别为所述处理器单元和低电压过流检测单元提供电源；所述处理器单元用于控制所述保护电路的运作过程；所述低电压过流检测单元用于检测低电压过流的电磁噪声特性和参考波形；所述脱扣器驱动单元用于在条件满足时切断其所带负载的电源；

其中，所述低电压过流检测单元至少包括设置有作为低电压过流检测的电流互感器的两个输出引脚的第三端子(X003)，所述第三端子(X003)的第一引脚分别连接至检测单元第一电容C31的第一端和检测单元第一电阻R31的第一端；所述第三端子(X003)的第二引脚连接至低电平；

所述检测单元第一电容C31的第二端连接至检测单元第一二极管D31的阳极；所述第一二极管D31的阴极分别连接至检测单元第二电容C32的第一端、检测单元第二电阻R32的第一端以及所述处理器单元的第四管脚(P1.2)；检测单元第二电容C32的第二端和检测单元第二电阻R32的第二端连接至低电平；形成低电压过流的电磁噪声特性检测电路；

检测单元第一电阻R31的第二端连接至第二二极管D32的阳极，所述第二二极管D32的阴极分别连接至检测单元第三电阻R33的第一端、检测单元第三电容C33的第一端、以及检测单元第四电阻R34的第一端；检测单元第四电阻R34的第二端分别连接至稳压二极管D33的阴极、检测单元第五电阻R35的第一端、以及所述处理器单元的第五管脚(P1.3)；所述检测单元第三电阻R33的第二端、所述检测单元第三电容C33的第二端、所述稳压二极管D33的阳极、以及所述检测单元第五电阻R35的第二端均连接至低电平；形成低电压过流检测的参考波形检测电路。

2.根据权利要求1所述的感性负载低电压保护电路，其特征在于，所述直流电源输出单元至少包括第一端子(X001)，所述第一端子(X001)的第二引脚通过火线分别连接至压敏电阻R10的第一端、电源单元第一电阻R11的第一端、电源单元第一电容C11的第一端、以及电源单元第二电阻R12的第一端，所述电源单元第二电阻R12的第二端通过火线连接至整流桥(BG1)的第一输入端；

所述第一端子(X001)的第一引脚通过零线分别连接至所述压敏电阻R10的第二端、所述电源单元第一电阻R11的第二端、所述电源单元第一电容C11的第二端、以及所述整流桥(BG1)的第三输入端；

所述整流桥(BG1)的第二输入端分别连接至电解电容C10的正极、电源单元第三电阻R13的第一端、电源单元第四电阻R14的第一端、电源单元第五电阻R15的第一端；所述电源单元第四电阻R14的第二端连接至发光二极管D11的阳极，所述电源单元第五电阻R15的第二端分别连接至高电平和稳压二极管D12的阴极；

所述整流桥(BG1)的第四输入端分别连接至所述电解电容C10的负极、所述电源单元第三电阻R13的第二端、所述发光二极管D11的阴极、所述稳压二极管D12的阳极、以及低电平。

3.根据权利要求1或2所述的感性负载低电压保护电路，其特征在于，所述处理器单元为MSP430F2012。

4.根据权利要求2所述的感性负载低电压保护电路，其特征在于，所述脱扣器驱动单元至少包括可控硅BT1；所述可控硅BT1的控制极分别连接至驱动单元第一电阻R41的第一端和驱动单元第一电容C41的第一端；所述驱动单元第一电阻R41的第二端连接至所述处理器单元的第二管脚(P1.0)；所述驱动单元第一电容C41的第二端连接至所述可控硅BT1的阴极；

所述可控硅BT1的阳极连接至脱扣器跳闸线圈(TKQ)的第一端，所述脱扣器跳闸线圈(TKQ)的第二端连接至脱扣器静触点(D9)；当脱扣器动触点(TK＿L)闭合时，所述脱扣器静触点(D9)与所述第一端子(X001)的第二引脚相连。

5.一种基于权利要求1至4任一所述感性负载低电压保护电路的感性负载低电压保护方法，其特征在于，所述方法是通过高频采样电路得到的高频信号在大电流磁场区域内被抑制，以减少或消失高频载波高次谐波、进而形成低电压过流保护。