[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
申请号: | 201510482229.8 | 申请日: | 2015-08-07 |
公开(公告)号: | CN105374779B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 林彦良;李明机;郭庭豪;陈承先;陈玉芬;吴胜郁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
半导体管芯;以及
衬底,具有电耦接至所述半导体管芯的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,
其中,所述第一表面包括:
核心区域,具有多个置放焊盘;和
外围区域,围绕所述核心区域并且具有多条置放迹线,并且
其中,所述置放焊盘的间距为55μm至280μm;
其中,所述半导体管芯包括面向所述衬底的第一表面的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面,所述第三表面包括对应于所述衬底的置放焊盘和置放迹线而设置的横向截面呈细长形态的多个细长凸块,所述细长凸块包括位于其截面上的长轴和短轴,并且所述短轴与所述长轴垂直,金属焊盘位于所述置放焊盘和所述细长凸块之间。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,对应于所述第一表面的核心区域设置的所述细长凸块的间距为55μm至280μm。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一表面的外围区域的宽度为所述核心区域中的所述置放焊盘的最小间距的6倍。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,对应于所述核心区域的所述置放焊盘而设置的所述细长凸块包括4000ea/9*9mm2至4500ea/9*9mm2的I/O计数密度。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述细长凸块的长轴指向不同方向。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体管芯的第三表面是有源表面。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二表面包括外部端子。
8.一种半导体倒装芯片封装件,包括:
半导体管芯,具有横向截面呈细长形态的多个细长凸块;以及
衬底,具有对应于所述多个细长凸块设置的多个置放焊盘和多条置放迹线,所述衬底包括:
核心区域,所述置放焊盘位于所述核心区域上;和
外围区域,所述置放迹线位于所述外围区域上,
其中,所述置放焊盘为圆形,金属焊盘位于所述置放焊盘和对应的细长凸块之间。
9.根据权利要求8所述的半导体倒装芯片封装件,所述置放焊盘的间距为55μm至280μm。
10.根据权利要求8所述的半导体倒装芯片封装件,其中,所述衬底是半加成工艺衬底、嵌入式图案镀敷的衬底或它们的组合。
11.根据权利要求10所述的半导体倒装芯片封装件,其中,
所述金属焊盘位于所述半加成工艺衬底、所述嵌入式图案镀敷的衬底或它们的组合的置放焊盘或置放迹线上方。
12.根据权利要求8所述的半导体倒装芯片封装件,其中,所述外围区域的宽度为所述核心区域中的置放焊盘的最小间距的6倍。
13.根据权利要求8所述的半导体倒装芯片封装件,还包括:
焊料,位于所述置放焊盘与所述细长凸块之间。
14.根据权利要求10所述的半导体倒装芯片封装件,其中,位于所述衬底中且位于对应于所述细长凸块而设置的所述置放焊盘或所述置放迹线下方的电路布线包括通孔结构。
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