[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有形成在半导体衬底中的沟槽-栅极场效应晶体管，所述半导体器件包括：

制成于所述半导体衬底中的沟槽；

通过栅极绝缘膜而形成在所述沟槽中的用于所述沟槽-栅极场效应晶体管的栅极电极；

通过第一绝缘膜在所述半导体衬底之上形成的二极管器件；以及

在所述半导体衬底的主表面之上形成的层间绝缘膜，

其中在邻近所述沟槽的区域中，所述栅极电极的上表面位于比所述半导体衬底的上表面更低的位置处，

其中在所述栅极电极之上以及所述沟槽的侧壁之上形成侧壁绝缘膜，

其中所述栅极电极和所述侧壁绝缘膜由所述层间绝缘膜所覆盖，并且

其中从与所述第一绝缘膜在相同的层中的绝缘膜形成所述侧壁绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

用于源极的半导体区域，其具有第一导电类型，形成在所述半导体衬底中与所述沟槽相邻的区域中；

用于沟道形成的半导体区域，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，位于所述用于源极的半导体区域的下方；以及

用于漏极的半导体区域，其具有所述第一导电类型，位于所述用于沟道形成的半导体区域的下方。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述侧壁绝缘膜具有侧壁间隔物的形状。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述栅极电极的所述上表面位于比所述用于源极的半导体区域的上表面更低的位置处，并且位于比所述用于源极的半导体区域和所述用于沟道形成的半导体区域之间的边界更高的位置处。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘膜在所述侧壁绝缘膜和所述沟槽的所述侧壁之间延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述二极管器件从形成在所述第一绝缘膜之上的硅膜形成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述沟槽的上部部分中的所述栅极绝缘膜的厚度小于在所述沟槽的下部部分中的所述栅极绝缘膜的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括形成在所述沟槽的下部部分中的第一电极，

其中所述栅极电极形成在所述沟槽的上部部分中，并且

其中所述栅极绝缘膜形成在所述沟槽的所述侧壁和底部与所述第一电极之间、所述沟槽的所述侧壁与所述栅极电极之间、以及所述第一电极与所述栅极电极之间。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

穿透所述层间绝缘膜的接触孔；

填充所述接触孔的导体；以及

形成在所述层间绝缘膜之上的布线，

其中所述布线包括源极布线，并且

其中所述源极布线通过所述导体而电耦合到所述用于源极的半导体区域以及所述用于沟道形成的半导体区域。