[发明专利]一种纵向RC‑IGBT器件有效
| 申请号： | 201510483439.9 | 申请日： | 2015-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN105023943B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 任敏;杨珏琳;郭绪阳;蔡果;牛博;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 rc igbt 器件 | ||
1.一种纵向RC-IGBT器件，其元胞结构包括N型漂移区(7)、位于N型漂移区(7)上层的的发射极结构和栅极结构、位于N型漂移区(7)下层的集电极结构；所述发射极结构包括金属发射极(1)、P型基区(5)和N+发射区(4)，所述P型基区(5)位于N型漂移区(7)顶部，所述N+发射区(4)位于P型基区(5)顶部两侧，所述金属发射极(1)位于P型基区(5)和N+发射区(4)的上表面；所述集电极结构包括P+集电区(9)、N+集电极短路区(10)、金属集电极(3)和N型电场阻止层(8)，所述N型电场阻止层(8)位于N型漂移区(7)底部，所述P+集电区(9)和N+集电极短路区(10)并列位于N型电场阻止层(8)底部，所述金属集电极(3)位于P+集电区(9)的下表面，所述金属集电极(3)中还具有氧化层(12)，所述氧化层(12)位于N+集电极短路区(10)和P+集电区(9)之间，且覆盖全部N+集电极短路区(10)的下表面和部分P+集电区(9)下表面；所述栅极结构由多晶硅栅电极(2)和栅氧化层(6)构成，所述多晶硅栅电极位于栅氧化层(6)中，所述栅氧化层(6)位于发射极结构两侧的N型漂移区(7)中；其特征在于，所述集电极结构还包括N型电阻区(11)，所述N型电阻区(11)位于P+集电区(9)中，其侧面与N+集电极短路区(10)连接，N型电阻区(11)的下表面与金属集电极(3)连接。
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