[发明专利]一种背照式影像芯片模组结构及其制作方法

权利要求书

1.一种背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：

1)BSI芯片封装：采用非TSV晶圆级封装工艺进行BSI芯片封装；

2)ADC/ISP芯片封装：

步骤一：在ADC/ISP晶圆上或者硅基晶圆上通过物理气象沉积种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺；

步骤二：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成可与BSI芯片和软板连接的焊盘；

步骤三：减薄晶圆；并对晶圆进行塑封保护；

步骤四：将晶圆分切成单颗封装好的ADC/ISP芯片或硅基基板；

3)BSI芯片与ADC/ISP芯片贴装：通过倒封装技术和表面贴装技术将封装好的BSI芯片，软板，以及一些辅助小器件贴装到ADC/ISP芯片或硅基基板上；

4)安装镜头模组最终形成影像芯片模组。

2.根据权利要求1所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述ADC/ISP芯片封装工序的步骤一中根据I/O数量和设计需求，进行单层重布线或多层重布线。

3.根据权利要求1所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述BSI芯片非TSV晶圆级封装的具体工艺为：

a键合：采用高透光性能的热压键合胶将盖板玻璃和影像芯片的硅晶圆无空腔的永久键合在一起，所述影像芯片自下而上依次为硅衬底、绝缘层和硅晶圆，所述绝缘层内设置有与硅晶圆光学连接的内部互连层，所述硅晶圆上设置有若干个微凸镜；

b减薄：将所述影像芯片的硅衬底全部去除；

c开窗：对所述影像芯片的绝缘层开窗，暴露其内的内部互连层以便后续进行电连接；

d重布线：在所述绝缘层内进行重布线形成与所述内部互连层电连接的金属互连层；

e塑封保护：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成UBM(under ballmetallization，焊盘)图形；

f加工金属焊球：在影像芯片的背面形成锡球阵列，以便后期高效的与基板进行组装；

g切割：将影像芯片晶圆分切成单颗封装好的影像芯片。

4.根据权利要求3所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述步骤a中玻璃盖板采用的一厚一薄2片玻璃通过临时键合胶结合在一起，需要在分割前通过激光或机械任一种方式解键合分离2片玻璃，保留其中薄的玻璃，然后将保留的玻璃表面清洗干净。

5.根据权利要求3所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述步骤d中通过PVD种子层，光刻线路，种子层刻蚀形成线路，去胶后通过化学镀的方法形成可靠的电连接来实现整个重布线工艺流程。

6.根据权利要求3所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述步骤d中通过PVD种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺。

7.一种背照式影像芯片模组结构，其包括BSI芯片、ADC/ISP芯片和软板，其特征在于，所述ADC/ISP芯片设置于所述软板的下方并通过焊盘与软板电性连接，所述BSI芯片设置于所述软板的上方并对应所述ADC/ISP芯片设置，所述BSI芯片与ADC/ISP芯片通过两者上的焊盘直接连接。

8.根据权利要求7所述的背照式影像芯片模组结构，其特征在于，所述BSI芯片包括盖板玻璃和影像芯片，所述影像芯片包括硅晶圆，所述硅晶圆的表面设置有若干个微凸镜，其背面设置有绝缘层，所述盖板玻璃采用高透光性能的热压键合胶与所述硅晶圆的表面无空腔的永久键合在一起，所述绝缘层内设置有与硅晶圆光学连接的内部互连层，所述绝缘层上开窗且窗内设置有与所述内部互连层电连接的金属互连层，配合金属互连层设置有塑封保护层并形成焊盘图形，所述塑封保护层上设置有与所述金属互连层电连接的金属焊球。

9.根据权利要求7所述的背照式影像芯片模组结构，其特征在于，所述ADC/ISP芯片包括硅基晶圆，所述硅基晶圆的底部设置有下塑封保护层，所述硅基晶圆的端面上设置有绝缘层，所述绝缘层内设置有金属互连层，配合金属互连层设置有上塑封保护层，且所述上塑封保护层上设置有与BSI芯片和软板连接的焊盘。