[发明专利]内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510484037.0 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN105094486B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;G02F1/1333
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 内嵌式 电容 显示 面板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种内嵌式自电容触控显示面板,其特征在于,包括:阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层,光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射;

所述阵列基板包括:多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)、多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)、以及呈矩阵式排列的多个像素电极(50),所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)与多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)相互绝缘交错,划分出多个子像素区域,每一像素电极(50)对应位于一子像素区域内;

触控扫描线与所述栅极扫描线(11)共用,触控接收线与所述数据线(41)共用,触控自电容与所述像素电极(50)共用;

将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间;在显示时间内,所述栅极扫描线(11)传输栅极扫描信号,所述数据线(41)传输像素灰阶信号,所述像素电极(50)用于形成存储电容和液晶电容;在触控时间内,所述栅极扫描线(11)用作触控扫描线传输触控扫描信号,所述数据线(41)用作触控接收线感应触控信号,所述像素电极(50)用作触控自电容。

2.如权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括:对应每一像素电极(50)设置的TFT(T)、及与像素电极(50)相对设置的公共电极(60);

一栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线(11)、TFT(T)的栅极(13),所述数据线(41)设于所述栅极绝缘层上,TFT的岛状有源层(30)设于所述栅极绝缘层上,TFT(T)的源极(45)与漏极(47)分别与所述岛状有源层(30)连接,所述像素电极(50)设于所述栅极绝缘层上并与TFT(T)的漏极(47)连接,一绝缘保护层覆盖所述数据线(41)、像素电极(50)、TFT(T)的源极(45)与漏极(47),所述公共电极(60)铺设于所述绝缘保护层上。

3.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板,其特征在于,所述像素电极(50)为平板状,所述公共电极(60)为覆盖所有子像素区域的整片式结构;所述公共电极(60)在与每一所述像素电极(50)相对的范围内开设有数个长条形通孔(61)。

4.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板,其特征在于,所述栅极扫描线(11)、数据线(41)、及所述TFT(T)的栅极(13)、源极(45)、与漏极(47)的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合,厚度均为

5.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板,其特征在于,所述像素电极(50)与公共电极(60)的材料均为ITO,厚度均为

6.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板,其特征在于,所述栅极绝缘层与绝缘保护层的材料均为氮化硅,厚度均为所述岛状有源层(30)的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅,厚度为

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