[发明专利]像素电极及液晶显示面板有效
申请号: | 201510484328.X | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN105182632B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 钟新辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电极 液晶显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电极及液晶显示面板。
背景技术
主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD,TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言,可分为三种类型,分别是扭曲向列(Twisted Nematic,TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)型,平面转换(In-Plane Switching,IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment,VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度,一般可达到4000-8000,在大尺寸显示,如电视等方面具有非常广的应用。
VA型液晶显示面板之所以具有极高的对比度是因为在不加电的暗态时,液晶分子垂直于基板表面排列,不产生任何相位差,漏光极低,暗态亮度很小,根据对比度计算公式暗态亮度越低,则对比度越高。为了使VA型液晶显示面板中的液晶分子能够垂直于基板表面排列,需要对液晶分子进行垂直配向处理,现行最为普遍的做法是在上、下基板表面的特定区域涂布垂直配向剂,垂直配向剂一般包含大量的化学溶剂NMP(N-甲基吡咯烷酮)以及高分子材料聚酰亚胺(Polyimide,PI)等成分,然后将基板在高温(一般200摄氏度以上)下进行长时间烘烤,使配向剂中的溶剂被烤干,从而在基板表面形成PI配向层。如图1所示,传统的VA型液晶显示面板包括:上基板10、与上基板10相对设置的下基板20、夹于上基板10和下基板20之间的液晶层50,形成于上基板10面向下基板20一侧表面及下基板20面向上基板10一侧表面的PI配向层30。由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶,液晶分子双折射率的差异比较大,导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重。
为了使VA型液晶显示面板获得更好的广视角特性,改善色偏问题,通常会采取多畴VA技术(multi-domain VA,MVA),即将一个子像素划分成多个区域,并使每个区域中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向,从而使各个方向看到的效果趋于平均,一致。实现MVA技术的方法有多种,请参阅图2、图3、及图4,其中一种方法是将一侧的ITO像素电极70处理成“米字型”图案,公共电极80为厚度均匀、连续不间断的平面电极,由于特殊的ITO像素电极图案,其产生的倾斜电场可以诱导不同区域中的液晶分子50倒向不同的方向。
图2所示为一种MVA型液晶显示面板的下基板20一侧的平面俯视示意图,其中210与220分别为扫描线与数据线,一个子像素被像素电极70划分成了四个区域。所述ITO像素电极70包括“十字形”龙骨701、及相对于水平方向自该“十字形”龙骨701分别向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸的像素电极分支702与狭缝间隔的图案。图3所示为该MVA型液晶显示面板在对应图2中A-A处的剖面示意图,其中具有狭缝的像素电极70设于平坦的下钝化层60上,平面型的公共电极80设于平坦的上钝化层90上,PI配向层30覆盖于像素电极70及公共电极80上。
根据VA型液晶显示面板的穿透率公式:
其中T为穿透率,ΔΦ为液晶长轴与偏光片夹角,45°时效率最大;Γ为相位差,即由液晶分子在电场驱动下偏转对偏振光的调制效果。
Γ的计算公式为:
Γ=cos(a)*2π*Δn*d/λ(2)
其中,a为液晶分子长轴与基板法线的夹角,其大小受液晶分子受到的电场大小决定,d为液晶盒盒厚,Δn为液晶长、短轴折射率差。
由以上穿透率公式可知,由于在子像素的四个区域内,ITO像素电极70具有分别向相对于水平方向倾斜45°、135°、-45°、及-135°方向延伸的像素电极分支702与狭缝间隔的图案(上、下偏光片方向分别为0°、90°),液晶分子长轴将分别向相对于水平方向倾斜45°、135°、-45°、及-135°方向倒伏,穿透率公式中sin22ΔΦ=1,能够实现穿透率的最大化。
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