[发明专利]一种显示基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201510484644.7 | 申请日: | 2015-08-07 |
公开(公告)号: | CN105161499B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 金熙哲;崔贤植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极和公共电极;其特征在于,所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置,所述像素电极包括多条条状的子像素电极,所述公共电极包括多条条状的子公共电极,所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布,每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5μm;
所述公共电极还包括:第一连接区和第二连接区;所述像素电极还包括:第三连接区;
在所述像素单元中,所述第一连接区与所述第二连接区均平行于所述数据线,且所述第一连接区相对于所述第三连接区靠近所述数据线,多条条状的子像素电极与所述第三连接区电连接,多条条状的子公共电极与所述第一连接区电连接,所述第一连接区与所述多条条状的子公共电极形成闭合区域,环绕所述像素电极分布;
所述公共电极在正投影方向上至少部分与所述公共电极线重叠,所述公共电极与所述公共电极线通过所述第二连接区与所述公共电极线之间的第一过孔实现电连接。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述子像素电极和所述子公共电极之间的间隔宽度为1-2μm。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述子像素电极和所述子公共电极的宽度均为2-10μm。
4.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括公共电极线,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,具体的:
所述栅极和公共电极线同层设置,位于所述衬底基板的上方;
所述栅绝缘层位于所述栅极和公共电极线的上方;
所述有源层位于所述栅绝缘层的上方;
所述源极和漏极位于所述有源层的上方。
5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述公共电极在正投影方向上与所述数据线不重叠。
6.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述像素电极和公共电极所在层与所述薄膜晶体管所在层之间的钝化层,所述第一过孔穿过所述第二连接区对应的所述钝化层和所述栅绝缘层。
7.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1-6任一权项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成包括公共电极的图形;在所述包括公共电极的图形的基板上形成包括像素电极的图形;或者,
在衬底基板上形成包括像素电极的图形,在所述包括像素电极的图形的基板上形成包括公共电极的图形;
其中,所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置,所述像素电极包括多条条状的子像素电极,所述公共电极包括多条条状的子公共电极,所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布,每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5μm;
形成的所述公共电极还包括:第一连接区和第二连接区;形成的所述像素电极还包括:第三连接区;
在所述像素单元中,所述第一连接区与所述第二连接区均平行于数据线,且所述第一连接区相对于所述第三连接区靠近数据线,多条条状的子像素电极与所述第三连接区电连接,多条条状的子公共电极与所述第一连接区电连接,所述第一连接区与所述多条条状的子公共电极形成闭合区域,环绕所述像素电极分布;
所述公共电极在正投影方向上至少部分与所述公共电极重叠,所述公共电极与所述公共电极线通过所述第二连接区与所述公共电极线之间的第一过孔实现电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510484644.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种行车电脑控制开关
- 下一篇:一种自带储物盒的洗衣机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的