[发明专利]一种钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的电解液及制备方法无效

专利信息
申请号: 201510485787.X 申请日: 2015-08-05
公开(公告)号: CN105239131A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 王敏;李文芳;王晓军 申请(专利权)人: 广东技术师范学院
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510665 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基体 表面 原位 生长 钛酸锶钡铁电 薄膜 电解液 制备 方法
【权利要求书】:

1.纯钛表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的电解液,其特征在于,所述电解液的组成为:

氢氧化钡或八水氢氧化钡0.2mol/L~0.8mol/L

氢氧化锶或八水氢氧化锶0.2mol/L~0.8mol/L

EDTA0.01mol/L~0.1mol/L

以及去离子水。

2.应用权利要求1所述的电解液在纯钛表面制备钛酸锶钡铁电薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将纯钛片进行预处理。

(2)将预处理后的钛片连接到阳极,并置于权利要求1所述的电解液中进行微弧氧化。反应5~20min后,钛基体表面即形成几十微米厚的钛酸锶钡铁电薄膜。

(3)将所得薄膜样品置于蒸馏水中浸泡1~2小时,最后烘干。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述预处理为将钛片表面经180#至1000#砂纸逐级打磨光滑后,分别用丙酮和去离子水清洗,然后吹干备用。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,按不同Ba2+/Sr2+及EDTA添加量配制电解液,且电解液配制过程中采用磁力搅拌器边加热边搅拌,电解液设定温度为50℃~60℃,搅拌速度设定为1200~1500r/min。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述微弧氧化工艺参数为:恒电压模式,电流密度为0.25~0.5A/cm2,脉冲频率为50~250Hz,占空比为60%~95%。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述浸泡是在超声波振荡条件下进行。

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