[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201510485940.9 | 申请日： | 2015-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN105098082B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 周航;夏中高;柴高达;王琰 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层；
通过两步法的超声喷涂方法：先热蒸镀70nm厚的PbI2层，再喷涂10mg/ml的CH3NH3I异丙醇IPA前驱液，喷涂流量为150μl/min，载气为氮气，沉积温度75℃，退火温度为100℃，在p型有机导电层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层；
在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层；
在n型有机导电层上沉积金属电极层。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层，包括：
采用超声喷涂方法在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层。
3.如权利要求2所述方法，其特征在于，
所述的ITO导电玻璃层的方块电阻是20-30Ω，透过率在80％-90％；所述的p型有机导电层为聚(3，4-乙烯二氧噻吩)PEDOT：聚苯乙烯磺酸PSS，层厚为20-40nm。
4.如权利要求3所述方法，其特征在于，采用超声喷涂方法在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层的工艺参数为：PEDOT:PSS与异丙醇IPA前驱液的体积比为1:10，喷涂流量为150μl/min，载气为氮气，沉积温度50℃，退火温度为150℃。
5.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述的有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层的层厚为300-500nm。
6.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述的在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层，包括：
通过旋凃法在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层；所述的n型有机导电层是碳60及其衍生物PC61BM，层厚为50-100nm。
7.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述的在n型有机导电层上沉积金属电极层，包括：
通过热蒸镀或磁控溅射方法在n型有机导电层上沉积金属电极层；所述的金属电极层是如下电极层的一种：Al电极、Au电极、Ag电极；层厚为120nm。
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