[发明专利]一种横向导电结构SiCMOSFET功率器件

权利要求书

1.一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述SiC MOSFET功率器件自上而下包括：栅极、SiO₂隔离介质层、N⁺漏区、N⁺源区、P⁺欧姆接触区、P阱、N^-漂移区和P型SiC衬底；

其中，N⁺漏区、N⁺源区和P⁺欧姆接触区水平设置，N⁺源区和P⁺欧姆接触区位于P阱内；在SiO₂隔离介质层与N^-漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVD SiO₂界面层，所述SiO₂界面层的厚度为1-2nm；

所述PECVD SiO₂界面层的形成包括：

对具有N⁺漏区、N⁺源区、P⁺欧姆接触区、P阱、N^-漂移区的SiC衬底表面在200℃下进行紫外线氧化；

RCA清洗，使得在所述表面形成Si界面结构；

在300℃氧气气氛中进行PECVD预处理，将所述Si界面结构氧化成SiO₂界面层。

2.根据权利要求1所述的横向导电结构SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述N⁺源区和P⁺欧姆接触区之上还具有源极金属；所述N⁺漏区之上还具有漏极金属。

3.根据权利要求1所述的横向导电结构SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述N^-漂移区具体为：

厚度为8-9μm，掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3-2×10¹⁵cm^-3的氮离子掺杂的N^-外延层。

4.根据权利要求1所述的横向导电结构SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述P阱的深度为0.5μm,掺杂浓度为3×10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求3所述的横向导电结构SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述N⁺源区的深度为0.2μm,掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3。

6.根据权利要求1所述的横向导电结构SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述P⁺欧姆接触区的深度为0.2μm,掺杂浓度为2×10¹⁹cm^-3。

7.根据权利要求1所述的横向导电结构SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述SiO₂隔离介质层的厚度为50-100nm。