[发明专利]一种芴-三苯胺共轭聚合物及其电存储器件的制备方法

权利要求书

1.一种芴-三苯胺共轭聚合物的电存储器件，由衬底层(1)、阴极层(2)、有机层(3)和阳极层(4)构成，其特征在于：所述有机层由聚芴类共轭聚合物构成；

所述聚芴类共轭聚合物分子式为：

n为30到100的整数；

有机层聚芴类共轭聚合物厚度为40～80nm。

2.根据权利要求1所述的电存储器件，其特征在于所述衬底层(1)为玻璃，所述阴极层(2)为氧化铟锡，所述阳极层(4)为金属铝。

3.根据权利要求1-2任一项所述的电存储器件，其特征在于所述芴-三苯胺共轭聚合物为传输空穴的P型有机半导体材料。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电存储器件的制备方法，其包括如下步骤：

一、将切割好的包含阴极层的衬底层在有机试剂中超声清洗，然后保存在有机试剂中；

二、通过Suzuki反应制备芴-三苯胺共轭聚合物，溶于甲苯得到浓度为3～15mg/mL的溶液；

三、将步骤二所得溶液滴加在步骤一切割好的包含阴极层的衬底层上，通过匀胶机使其分散均匀，真空干燥除去有机试剂，得到厚度为20～100nm的聚合物薄膜；

四、通过真空蒸镀法将金属电极Al附着在聚合物上层；金属电极厚度和面积分别为200～400nm、0.25～5mm²；

最终得到Flash存储类型的夹层结构有机电存储器件。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，步骤一中的所述包含阴极层的衬底层为ITO玻璃；步骤二中甲苯溶液浓度为5～12mg/mL；步骤三中薄膜厚度为40～80nm；步骤四中金属电极厚度和面积分别为200～400nm、0.25～5mm²。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，步骤四中金属电极厚度和面积分别为250-350nm、0.5～3mm²。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤一中的清洗的有机溶剂为无水乙醇、丙酮。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤一中的清洗的有机溶剂为无水乙醇。

9.聚芴类共轭聚合物作为电储存器件的半导体材料的用途；

所述聚芴类共轭聚合物分子式为：

n为30到100的整数。