[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成扫描线、公共电极线、薄膜晶体管的栅极和第一像素电极；

覆盖一层栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体图形、数据线和薄膜晶体管的源极，其中，所述氧化物半导体图形包括薄膜晶体管的有源层和第二像素电极图形，所述有源层和所述第二像素电极位于同一图层；

覆盖一层钝化层；

对所述钝化层进行蚀刻，露出所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形；

对所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形进行等离子体处理，形成第二像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形进行等离子体处理，具体为：

利用SF₆、N₂、Ar或He，对所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形进行等离子体处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成扫描线、公共电极线、薄膜晶体管的栅极和第一像素电极，具体为：

在衬底基板上依次形成透明电极层和第一金属层；

在所述第一金属层上覆盖光刻胶，并利用半色调掩膜版、灰色调掩模版或单狭缝掩膜版进行曝光、显影；

对所述第一金属层和所述透明电极层进行蚀刻，形成扫描线、公共电极线和薄膜晶体管的栅极；

对光刻胶进行灰化；

对所述第一金属层进行蚀刻，形成第一像素电极；

剥离剩余的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体图形、数据线和薄膜晶体管的源极，具体为：

在栅极绝缘层上依次形成氧化物半导体层和第二金属层；

在所述第二金属层上覆盖光刻胶，并利用半色调掩膜版、灰色调掩模版或单狭缝掩膜版进行曝光、显影；

对所述第二金属层和所述氧化物半导体层进行蚀刻，形成数据线和薄膜晶体管的源极；

对光刻胶进行灰化；

对所述第二金属层进行蚀刻，形成氧化物半导体图形；

剥离剩余的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述钝化层进行蚀刻，露出所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形，具体为：

在所述钝化层上覆盖光刻胶，并利用掩膜版进行曝光、显影；

对所述钝化层进行蚀刻，露出所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形；

剥离剩余的光刻胶。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述钝化层进行蚀刻，具体为：

利用六氟化硫，对所述钝化层进行蚀刻。